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srivatsan
Guest
난 높은 저항 폴리 SPICE 모델 파일에 대한 SPICE 모델 필요합니다.adavcen 감사드립니다.
srivats
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Vamsi Mocherla
Guest
MOSIS 웹사이트를보십시오.월 수 거기 그것을 얻을 것이다.제가 0.5u 맞춰 꽤 오래된 프로세스입니다
S
srivatsan
Guest
글쎄, 난 웹사이트에서 잘 좀 잘하기 전에 해당 요청을 제출했다.
그것은 당신이 저항을 진술 자체 압축이 풀린 물건을 교체해야합니다 보인다.내가 무슨 걱정이 있는지 그것을 사실적으로 내가 원하는 조작 될 것입니다.내가 전에 한 조작했지만, 디지털되었다 (ALU, FIR)의.그래서 작전에 대해 확실하지 - 앰프.그냥 사람이 실제로 있는지, 어떤 그들이 설계했다했는지 기다.
vamsi 감사합니다.만약 당신이 특별히 해주 어떤 모델을 얻을 수있습니다 .. 알아
srivats
그것은 당신이 저항을 진술 자체 압축이 풀린 물건을 교체해야합니다 보인다.내가 무슨 걱정이 있는지 그것을 사실적으로 내가 원하는 조작 될 것입니다.내가 전에 한 조작했지만, 디지털되었다 (ALU, FIR)의.그래서 작전에 대해 확실하지 - 앰프.그냥 사람이 실제로 있는지, 어떤 그들이 설계했다했는지 기다.
vamsi 감사합니다.만약 당신이 특별히 해주 어떤 모델을 얻을 수있습니다 .. 알아
srivats
V
Vamsi Mocherla
Guest
친애하는 Vatsan,
우리는 확실히 폴리 Salicide 블록 저항기를 사용하는 (가) 높은 저항을 발생합니다.내가 파운드리보다 3 LDO와 DAC는 몇 거기에 내가 운영 저항기를 사용 보았다.왜냐하면, 그들은 어떤 특별한 계층되지 않습니다 글쎄, 대부분의 CMOS 프로세스의 모든 저항기를 지원해야합니다.제가 필요하면 언제 0.5 미크론 AMI는 프로세스에 대한 저항 모델을 얻을 수 있는지 물어 볼 것입니다
우리는 확실히 폴리 Salicide 블록 저항기를 사용하는 (가) 높은 저항을 발생합니다.내가 파운드리보다 3 LDO와 DAC는 몇 거기에 내가 운영 저항기를 사용 보았다.왜냐하면, 그들은 어떤 특별한 계층되지 않습니다 글쎄, 대부분의 CMOS 프로세스의 모든 저항기를 지원해야합니다.제가 필요하면 언제 0.5 미크론 AMI는 프로세스에 대한 저항 모델을 얻을 수 있는지 물어 볼 것입니다
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Guest
Guest
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S
srivatsan
Guest
친애하는 Vamsi :
멋진 거기에 누가 무엇을 그들은 디자인을 조작하고있다 누군가가 알고있다.나는 그들이 AMI는 0.5 음 과정에서 저항을 알 수 있죠.사실, 난 ext2spice - f 옵션을 spice3 - T를 뒤 성명을 붙여넣!- T는 # <filename.ext>; 어떤 저항이 포함되어있습니다.
M1000 Vdd c_102_58 a_58_42 a_108_43 phrResistor 승 = 14 패 = 44
광고 = 0 ......
이것은 저항 특별 MOSFET을 ""로 추출되고, 한쪽 끝은 Vdd와 다른 쪽 끝을 a_58_42와 의미;이 승 패 지역의 비교 포함.
지금 만약 내가 phrResistor에 대한 모델을 얻을 수있습니다 (어느 기자가 패 * Rsquare / W 등)을, 다음 작업을해야합니다 .... 단순하게..아니면, 난 이유를 알지라도 간단하게 모델 파일을 작성할 수없습니다입니다.
이제 위의 진술을 분명 바랍니다.
만약 당신이 그것을 얻을 수 있는지 ...정말 .. 그것을 감사 하겠어요
감사합니다.
srivatsan
멋진 거기에 누가 무엇을 그들은 디자인을 조작하고있다 누군가가 알고있다.나는 그들이 AMI는 0.5 음 과정에서 저항을 알 수 있죠.사실, 난 ext2spice - f 옵션을 spice3 - T를 뒤 성명을 붙여넣!- T는 # <filename.ext>; 어떤 저항이 포함되어있습니다.
M1000 Vdd c_102_58 a_58_42 a_108_43 phrResistor 승 = 14 패 = 44
광고 = 0 ......
이것은 저항 특별 MOSFET을 ""로 추출되고, 한쪽 끝은 Vdd와 다른 쪽 끝을 a_58_42와 의미;이 승 패 지역의 비교 포함.
지금 만약 내가 phrResistor에 대한 모델을 얻을 수있습니다 (어느 기자가 패 * Rsquare / W 등)을, 다음 작업을해야합니다 .... 단순하게..아니면, 난 이유를 알지라도 간단하게 모델 파일을 작성할 수없습니다입니다.
이제 위의 진술을 분명 바랍니다.
만약 당신이 그것을 얻을 수 있는지 ...정말 .. 그것을 감사 하겠어요
감사합니다.
srivatsan
V
Vamsi Mocherla
Guest
친애하는 Vatsan,
몇 가지 우리의 SPICE 갑판의 저항에 대한 모델 파일.봐, 그들이 어떻게 그런 짓을.각 모델에 파운드리가 정상적으로하고있다 봐.로맨티스트의 CMOS 프로세스를 잘 하나입니다.
***** ***** 저항 모델
. lib에서 예약 상황에 따라
STI는 아래 * 팔렌 = NWELL 저항기
. subckt = 너비 n1 n2 난 = 길이 승 베스트 팔렌
. param rsh = 1100 tc1 = 3.48E - 03 tc2 = 1.15E - 05 vc1 = 6.96E - 03 vc2 =- 2.75E - 05t = '성격'
. param tpar = '1 .0 tc1 * (T는 - 25.0) tc2 * (T는 - 25.0) * (T는 - 25.0) '
r1 n1 n2 'rsh * (전 / W 등) * (1 vc1 * 복근 (v를 (n2, n1)) vc2 * v를 (n2, n1) * v를 (n2, n1)) * tpar'
. 팔렌 종료
* = N으로 rnps 확산 저항 salicided
. subckt rnps n1 n2 난 = 길이 승 = 너비
. param rsh = 4.5 tc1 = 2.88E - 03 tc2 =- 4.36E - 07 vc1 =- 2.33E - 04 vc2 = 1.29E - 04t = '성격'
. param tpar = '1 .0 tc1 * (T는 - 25.0) tc2 * (T는 - 25.0) * (T는 - 25.0) '
r1 n1 n2 'rsh * (전 / W 등) * (1 vc1 * 복근 (v를 (n2, n1)) vc2 * v를 (n2, n1) * v를 (n2, n1)) * tpar'
. rnps 종료
* = P는 rpps 확산 저항 salicided
. subckt rpps n1 n2 난 = 길이 승 = 너비
. param rsh = 4.0 tc1 = 3.62E - 03 tc2 =- 5.05E - 07 vc1 =- 1.73E - 03 vc2 = 1.37E - 03t = '성격'
. param tpar = '1 .0 tc1 * (T는 - 25.0) tc2 * (T는 - 25.0) * (T는 - 25.0) '
r1 n1 n2 'rsh * (전 / W 등) * (1 vc1 * 복근 (v를 (n2, n1)) vc2 * v를 (n2, n1) * v를 (n2, n1)) * tpar'
. rpps 종료
* = N으로 액티브 저항이 아닌 salicided rnpns
. SUBCKT rnpns 1 2리터 = 길이 승 = 폭 문의 = 1
. param rc = 6.4
. param rsh = 65 DW는 = 0.047ut = '이성'trs1 = 1.55E - 03 trs2 =- 3.51E - 07 vrs1 = 4.00E - 04 vrs2 =- 4.00E - 04
. param rint = 27.608u trt1 = 5.22E - 03 trt2 =- 2.77E - 05 vrt1 =- 2.68E - 03 vrt2 = 2.18E - 02
. param trsh = '1 .0 trs1 * (T는 - 25.0) trs2 * (마 - 25) * (마 - 25) '
. param trint = '1 .0 trt1 * (T는 - 25.0) trt2 * (마 - 25) * (마 - 25) '
RC1은 1 'rc / 연락처'
rend1 AB는 'rint / (우 DW는) * trint * (1.0 vrt1 * 복근 ((, v를 b) 항) vrt2 * v를 (A와 B) * v를 (, b) 항)'
라인란트 기원전 'rsh * (전 / (우 DW는)) * trsh * (1.0 vrs1 * 복근 ((나는 C)) vrs2 * v를 (나는 C) * v를 v를 (나에서는 c))'
rend2 'CD를 rint / (우 DW는) * trint * (1.0 vrt1 * 복근 ((C 조, D 조)) vrt2 * v를 (C 조, D 조) * v를 v를 (C 조, D 조))'
RC2 D 조 2 'rc / 연락처'
. rnpns ENDS
* = P는 액티브 저항이 아닌 salicided rppns
. SUBCKT rppns 1 2리터 = 길이 승 = 폭 문의 = 1
. param rc = 5.4
. param rsh = 140 DW는 = 0.065ut = '이성'trs1 = 1.44E - 03 trs2 = 3.67E - 07 vrs1 = 5.97E - 03 vrs2 =- 1.10E - 03
. param rint = 190.66u trt1 =- 2.79e - 03 trt2 = 5.47E - 06 vrt1 =- 1.17E - 01 vrt2 = 1.50E - 02
. param trsh = '1 .0 trs1 * (T는 - 25.0) trs2 * (마 - 25) * (마 - 25) '
. param trint = '1 .0 trt1 * (T는 - 25.0) trt2 * (마 - 25) * (마 - 25) '
RC1은 1 'rc / 연락처'
rend1 AB는 'rint / (우 DW는) * trint * (1.0 vrt1 * 복근 ((, v를 b) 항) vrt2 * v를 (A와 B) * v를 (, b) 항)'
라인란트 기원전 'rsh * (전 / (우 DW는)) * trsh * (1.0 vrs1 * 복근 ((나는 C)) vrs2 * v를 (나는 C) * v를 v를 (나에서는 c))'
rend2 'CD를 rint / (우 DW는) * trint * (1.0 vrt1 * 복근 ((C 조, D 조)) vrt2 * v를 (C 조, D 조) * v를 v를 (C 조, D 조))'
RC2 D 조 2 'rc / 연락처'
. rppns ENDS
* = N으로 rngps 폴리 저항 salicided
. subckt rngps n1 n2 난 = 길이 승 = 너비
. param rsh = 5.0 tc1 = 3.22E - 03 tc2 =- 6.61E - 07 vc1 =- 2.00E - 04 vc2 = 9.52E - 04t = '성격'
. param tpar = '1 .0 tc1 * (T는 - 25.0) tc2 * (T는 - 25.0) * (T는 - 25.0) '
r1 n1 n2 'rsh * (전 / W 등) * (1 vc1 * 복근 (v를 (n2, n1)) vc2 * v를 (n2, n1) * v를 (n2, n1)) * tpar'
. rngps 종료
* = P는 rpgps 폴리 저항 salicided
. subckt rpgps n1 n2 난 = 길이 승 = 너비
. param rsh = 5.0 tc1 = 3.46E - 03 tc2 =- 5.77E - 07 vc1 =- 2.88E - 03 vc2 = 3.13E - 03t = '성격'
. param tpar = '1 .0 tc1 * (T는 - 25.0) tc2 * (T는 - 25.0) * (T는 - 25.0) '
r1 n1 n2 'rsh * (전 / W 등) * (1 vc1 * 복근 (v를 (n2, n1)) vc2 * v를 (n2, n1) * v를 (n2, n1)) * tpar'
. rpgps 종료
* = N으로 폴리 저항이 아닌 salicided rngpns
. SUBCKT rngpns 1 2리터 = 길이 승 = 폭 문의 = 1
. param rc = 4.2
. param rsh = 190 DW는 = 0.062ut = '이성'trs1 =- 8.99E - 04 trs2 = 2.07E - 06 vrs1 =- 1.34E - 04 vrs2 = 8.71e - 04
. param rint = 48.03u trt1 = 9.68E - 04 trt2 =- 3.50E - 05 vrt1 =- 3.11E - 01 vrt2 =- 2.31E - 02
. param trsh = '1 .0 trs1 * (T는 - 25.0) trs2 * (마 - 25) * (마 - 25) '
. param trint = '1 .0 trt1 * (T는 - 25.0) trt2 * (마 - 25) * (마 - 25) '
RC1은 1 'rc / 연락처'
rend1 AB는 'rint / (우 DW는) * trint * (1.0 vrt1 * 복근 ((, v를 b) 항) vrt2 * v를 (A와 B) * v를 (, b) 항)'
라인란트 기원전 'rsh * (전 / (우 DW는)) * trsh * (1.0 vrs1 * 복근 ((나는 C)) vrs2 * v를 (나는 C) * v를 v를 (나에서는 c))'
rend2 'CD를 rint / (우 DW는) * trint * (1.0 vrt1 * 복근 ((C 조, D 조)) vrt2 * v를 (C 조, D 조) * v를 v를 (C 조, D 조))'
RC2 D 조 2 'rc / 연락처'
. rngpns ENDS
* = P는 폴리 저항이 아닌 salicided rpgpns
. SUBCKT rpgpns 1 2리터 = 길이 승 = 폭 문의 = 1
. param rc = 4
. param rsh = 160 DW는 = 0.074ut = '이성'trs1 = 7.42E - 04 trs2 = 1.13E - 06 vrs1 = 1.13E - 04 vrs2 =- 7.51E - 04
. param rint = 124.134u trt1 =- 1.16E - 03 trt2 =- 1.19E - 06 vrt1 =- 5.59E - 04 vrt2 = 4.61E - 02
. param trsh = '1 .0 trs1 * (T는 - 25.0) trs2 * (마 - 25) * (마 - 25) '
. param trint = '1 .0 trt1 * (T는 - 25.0) trt2 * (마 - 25) * (마 - 25) '
RC1은 1 'rc / 연락처'
rend1 AB는 'rint / (우 DW는) * trint * (1.0 vrt1 * 복근 ((, v를 b) 항) vrt2 * v를 (A와 B) * v를 (, b) 항)'
라인란트 기원전 'rsh * (전 / (우 DW는)) * trsh * (1.0 vrs1 * 복근 ((나는 C)) vrs2 * v를 (나는 C) * v를 v를 (나에서는 c))'
rend2 'CD를 rint / (우 DW는) * trint * (1.0 vrt1 * 복근 ((C 조, D 조)) vrt2 * v를 (C 조, D 조) * v를 v를 (C 조, D 조))'
RC2 D 조 2 'rc / 연락처'
. rpgpns ENDS
* RM1 = 금속 1 저항기
. subckt RM1 n1 n2 난 = 길이 승 = 너비
. param rsh = 0.08 tc1 = 3.37E - 03 tc2 = 9.00E - 07 vc1 = 0 vc2 = 0t = '성격'
. param tpar = '1 .0 tc1 * (T는 - 25.0) tc2 * (T는 - 25.0) * (T는 - 25.0) '
r1 n1 n2 'rsh * (전 / W 등) * (1 vc1 * 복근 (v를 (n2, n1)) vc2 * v를 (n2, n1) * v를 (n2, n1)) * tpar'
. RM1 종료
* rm2 = 금속 2 저항기
. subckt rm2 n1 n2 난 = 길이 승 = 너비
. param rsh = 0.06 tc1 = 2.66E - 03 tc2 = 3.83E - 06 vc1 = 0 vc2 = 0t = '성격'
. param tpar = '1 .0 tc1 * (T는 - 25.0) tc2 * (T는 - 25.0) * (T는 - 25.0) '
r1 n1 n2 'rsh * (전 / W 등) * (1 vc1 * 복근 (v를 (n2, n1)) vc2 * v를 (n2, n1) * v를 (n2, n1)) * tpar'
. rm2 종료
* rm3 = 메탈 3 저항기
. subckt rm3 n1 n2 난 = 길이 승 = 너비
. param rsh = 0.06 tc1 = 2.66E - 03 tc2 = 3.83E - 06 vc1 = 0 vc2 = 0t = '성격'
. param tpar = '1 .0 tc1 * (T는 - 25.0) tc2 * (T는 - 25.0) * (T는 - 25.0) '
r1 n1 n2 'rsh * (전 / W 등) * (1 vc1 * 복근 (v를 (n2, n1)) vc2 * v를 (n2, n1) * v를 (n2, n1)) * tpar'
. rm3 종료
* rm4 = 메탈 4 저항기
. subckt rm4 n1 n2 난 = 길이 승 = 너비
. param rsh = 0.06 tc1 = 2.66E - 03 tc2 = 3.83E - 06 vc1 = 0 vc2 = 0t = '성격'
. param tpar = '1 .0 tc1 * (T는 - 25.0) tc2 * (T는 - 25.0) * (T는 - 25.0) '
r1 n1 n2 'rsh * (전 / W 등) * (1 vc1 * 복근 (v를 (n2, n1)) vc2 * v를 (n2, n1) * v를 (n2, n1)) * tpar'
. rm4 종료
* rm5 = 메탈 5 저항기
. subckt rm5 n1 n2 난 = 길이 승 = 너비
. param rsh = 0.04 tc1 = 3.68E - 03 tc2 =- 1.46E - 06 vc1 = 0 vc2 = 0t = '성격'
. param tpar = '1 .0 tc1 * (T는 - 25.0) tc2 * (T는 - 25.0) * (T는 - 25.0) '
r1 n1 n2 'rsh * (전 / W 등) * (1 vc1 * 복근 (v를 (n2, n1)) vc2 * v를 (n2, n1) * v를 (n2, n1)) * tpar'
. rm5 종료
. endl 예약 상황에 따라
몇 가지 우리의 SPICE 갑판의 저항에 대한 모델 파일.봐, 그들이 어떻게 그런 짓을.각 모델에 파운드리가 정상적으로하고있다 봐.로맨티스트의 CMOS 프로세스를 잘 하나입니다.
***** ***** 저항 모델
. lib에서 예약 상황에 따라
STI는 아래 * 팔렌 = NWELL 저항기
. subckt = 너비 n1 n2 난 = 길이 승 베스트 팔렌
. param rsh = 1100 tc1 = 3.48E - 03 tc2 = 1.15E - 05 vc1 = 6.96E - 03 vc2 =- 2.75E - 05t = '성격'
. param tpar = '1 .0 tc1 * (T는 - 25.0) tc2 * (T는 - 25.0) * (T는 - 25.0) '
r1 n1 n2 'rsh * (전 / W 등) * (1 vc1 * 복근 (v를 (n2, n1)) vc2 * v를 (n2, n1) * v를 (n2, n1)) * tpar'
. 팔렌 종료
* = N으로 rnps 확산 저항 salicided
. subckt rnps n1 n2 난 = 길이 승 = 너비
. param rsh = 4.5 tc1 = 2.88E - 03 tc2 =- 4.36E - 07 vc1 =- 2.33E - 04 vc2 = 1.29E - 04t = '성격'
. param tpar = '1 .0 tc1 * (T는 - 25.0) tc2 * (T는 - 25.0) * (T는 - 25.0) '
r1 n1 n2 'rsh * (전 / W 등) * (1 vc1 * 복근 (v를 (n2, n1)) vc2 * v를 (n2, n1) * v를 (n2, n1)) * tpar'
. rnps 종료
* = P는 rpps 확산 저항 salicided
. subckt rpps n1 n2 난 = 길이 승 = 너비
. param rsh = 4.0 tc1 = 3.62E - 03 tc2 =- 5.05E - 07 vc1 =- 1.73E - 03 vc2 = 1.37E - 03t = '성격'
. param tpar = '1 .0 tc1 * (T는 - 25.0) tc2 * (T는 - 25.0) * (T는 - 25.0) '
r1 n1 n2 'rsh * (전 / W 등) * (1 vc1 * 복근 (v를 (n2, n1)) vc2 * v를 (n2, n1) * v를 (n2, n1)) * tpar'
. rpps 종료
* = N으로 액티브 저항이 아닌 salicided rnpns
. SUBCKT rnpns 1 2리터 = 길이 승 = 폭 문의 = 1
. param rc = 6.4
. param rsh = 65 DW는 = 0.047ut = '이성'trs1 = 1.55E - 03 trs2 =- 3.51E - 07 vrs1 = 4.00E - 04 vrs2 =- 4.00E - 04
. param rint = 27.608u trt1 = 5.22E - 03 trt2 =- 2.77E - 05 vrt1 =- 2.68E - 03 vrt2 = 2.18E - 02
. param trsh = '1 .0 trs1 * (T는 - 25.0) trs2 * (마 - 25) * (마 - 25) '
. param trint = '1 .0 trt1 * (T는 - 25.0) trt2 * (마 - 25) * (마 - 25) '
RC1은 1 'rc / 연락처'
rend1 AB는 'rint / (우 DW는) * trint * (1.0 vrt1 * 복근 ((, v를 b) 항) vrt2 * v를 (A와 B) * v를 (, b) 항)'
라인란트 기원전 'rsh * (전 / (우 DW는)) * trsh * (1.0 vrs1 * 복근 ((나는 C)) vrs2 * v를 (나는 C) * v를 v를 (나에서는 c))'
rend2 'CD를 rint / (우 DW는) * trint * (1.0 vrt1 * 복근 ((C 조, D 조)) vrt2 * v를 (C 조, D 조) * v를 v를 (C 조, D 조))'
RC2 D 조 2 'rc / 연락처'
. rnpns ENDS
* = P는 액티브 저항이 아닌 salicided rppns
. SUBCKT rppns 1 2리터 = 길이 승 = 폭 문의 = 1
. param rc = 5.4
. param rsh = 140 DW는 = 0.065ut = '이성'trs1 = 1.44E - 03 trs2 = 3.67E - 07 vrs1 = 5.97E - 03 vrs2 =- 1.10E - 03
. param rint = 190.66u trt1 =- 2.79e - 03 trt2 = 5.47E - 06 vrt1 =- 1.17E - 01 vrt2 = 1.50E - 02
. param trsh = '1 .0 trs1 * (T는 - 25.0) trs2 * (마 - 25) * (마 - 25) '
. param trint = '1 .0 trt1 * (T는 - 25.0) trt2 * (마 - 25) * (마 - 25) '
RC1은 1 'rc / 연락처'
rend1 AB는 'rint / (우 DW는) * trint * (1.0 vrt1 * 복근 ((, v를 b) 항) vrt2 * v를 (A와 B) * v를 (, b) 항)'
라인란트 기원전 'rsh * (전 / (우 DW는)) * trsh * (1.0 vrs1 * 복근 ((나는 C)) vrs2 * v를 (나는 C) * v를 v를 (나에서는 c))'
rend2 'CD를 rint / (우 DW는) * trint * (1.0 vrt1 * 복근 ((C 조, D 조)) vrt2 * v를 (C 조, D 조) * v를 v를 (C 조, D 조))'
RC2 D 조 2 'rc / 연락처'
. rppns ENDS
* = N으로 rngps 폴리 저항 salicided
. subckt rngps n1 n2 난 = 길이 승 = 너비
. param rsh = 5.0 tc1 = 3.22E - 03 tc2 =- 6.61E - 07 vc1 =- 2.00E - 04 vc2 = 9.52E - 04t = '성격'
. param tpar = '1 .0 tc1 * (T는 - 25.0) tc2 * (T는 - 25.0) * (T는 - 25.0) '
r1 n1 n2 'rsh * (전 / W 등) * (1 vc1 * 복근 (v를 (n2, n1)) vc2 * v를 (n2, n1) * v를 (n2, n1)) * tpar'
. rngps 종료
* = P는 rpgps 폴리 저항 salicided
. subckt rpgps n1 n2 난 = 길이 승 = 너비
. param rsh = 5.0 tc1 = 3.46E - 03 tc2 =- 5.77E - 07 vc1 =- 2.88E - 03 vc2 = 3.13E - 03t = '성격'
. param tpar = '1 .0 tc1 * (T는 - 25.0) tc2 * (T는 - 25.0) * (T는 - 25.0) '
r1 n1 n2 'rsh * (전 / W 등) * (1 vc1 * 복근 (v를 (n2, n1)) vc2 * v를 (n2, n1) * v를 (n2, n1)) * tpar'
. rpgps 종료
* = N으로 폴리 저항이 아닌 salicided rngpns
. SUBCKT rngpns 1 2리터 = 길이 승 = 폭 문의 = 1
. param rc = 4.2
. param rsh = 190 DW는 = 0.062ut = '이성'trs1 =- 8.99E - 04 trs2 = 2.07E - 06 vrs1 =- 1.34E - 04 vrs2 = 8.71e - 04
. param rint = 48.03u trt1 = 9.68E - 04 trt2 =- 3.50E - 05 vrt1 =- 3.11E - 01 vrt2 =- 2.31E - 02
. param trsh = '1 .0 trs1 * (T는 - 25.0) trs2 * (마 - 25) * (마 - 25) '
. param trint = '1 .0 trt1 * (T는 - 25.0) trt2 * (마 - 25) * (마 - 25) '
RC1은 1 'rc / 연락처'
rend1 AB는 'rint / (우 DW는) * trint * (1.0 vrt1 * 복근 ((, v를 b) 항) vrt2 * v를 (A와 B) * v를 (, b) 항)'
라인란트 기원전 'rsh * (전 / (우 DW는)) * trsh * (1.0 vrs1 * 복근 ((나는 C)) vrs2 * v를 (나는 C) * v를 v를 (나에서는 c))'
rend2 'CD를 rint / (우 DW는) * trint * (1.0 vrt1 * 복근 ((C 조, D 조)) vrt2 * v를 (C 조, D 조) * v를 v를 (C 조, D 조))'
RC2 D 조 2 'rc / 연락처'
. rngpns ENDS
* = P는 폴리 저항이 아닌 salicided rpgpns
. SUBCKT rpgpns 1 2리터 = 길이 승 = 폭 문의 = 1
. param rc = 4
. param rsh = 160 DW는 = 0.074ut = '이성'trs1 = 7.42E - 04 trs2 = 1.13E - 06 vrs1 = 1.13E - 04 vrs2 =- 7.51E - 04
. param rint = 124.134u trt1 =- 1.16E - 03 trt2 =- 1.19E - 06 vrt1 =- 5.59E - 04 vrt2 = 4.61E - 02
. param trsh = '1 .0 trs1 * (T는 - 25.0) trs2 * (마 - 25) * (마 - 25) '
. param trint = '1 .0 trt1 * (T는 - 25.0) trt2 * (마 - 25) * (마 - 25) '
RC1은 1 'rc / 연락처'
rend1 AB는 'rint / (우 DW는) * trint * (1.0 vrt1 * 복근 ((, v를 b) 항) vrt2 * v를 (A와 B) * v를 (, b) 항)'
라인란트 기원전 'rsh * (전 / (우 DW는)) * trsh * (1.0 vrs1 * 복근 ((나는 C)) vrs2 * v를 (나는 C) * v를 v를 (나에서는 c))'
rend2 'CD를 rint / (우 DW는) * trint * (1.0 vrt1 * 복근 ((C 조, D 조)) vrt2 * v를 (C 조, D 조) * v를 v를 (C 조, D 조))'
RC2 D 조 2 'rc / 연락처'
. rpgpns ENDS
* RM1 = 금속 1 저항기
. subckt RM1 n1 n2 난 = 길이 승 = 너비
. param rsh = 0.08 tc1 = 3.37E - 03 tc2 = 9.00E - 07 vc1 = 0 vc2 = 0t = '성격'
. param tpar = '1 .0 tc1 * (T는 - 25.0) tc2 * (T는 - 25.0) * (T는 - 25.0) '
r1 n1 n2 'rsh * (전 / W 등) * (1 vc1 * 복근 (v를 (n2, n1)) vc2 * v를 (n2, n1) * v를 (n2, n1)) * tpar'
. RM1 종료
* rm2 = 금속 2 저항기
. subckt rm2 n1 n2 난 = 길이 승 = 너비
. param rsh = 0.06 tc1 = 2.66E - 03 tc2 = 3.83E - 06 vc1 = 0 vc2 = 0t = '성격'
. param tpar = '1 .0 tc1 * (T는 - 25.0) tc2 * (T는 - 25.0) * (T는 - 25.0) '
r1 n1 n2 'rsh * (전 / W 등) * (1 vc1 * 복근 (v를 (n2, n1)) vc2 * v를 (n2, n1) * v를 (n2, n1)) * tpar'
. rm2 종료
* rm3 = 메탈 3 저항기
. subckt rm3 n1 n2 난 = 길이 승 = 너비
. param rsh = 0.06 tc1 = 2.66E - 03 tc2 = 3.83E - 06 vc1 = 0 vc2 = 0t = '성격'
. param tpar = '1 .0 tc1 * (T는 - 25.0) tc2 * (T는 - 25.0) * (T는 - 25.0) '
r1 n1 n2 'rsh * (전 / W 등) * (1 vc1 * 복근 (v를 (n2, n1)) vc2 * v를 (n2, n1) * v를 (n2, n1)) * tpar'
. rm3 종료
* rm4 = 메탈 4 저항기
. subckt rm4 n1 n2 난 = 길이 승 = 너비
. param rsh = 0.06 tc1 = 2.66E - 03 tc2 = 3.83E - 06 vc1 = 0 vc2 = 0t = '성격'
. param tpar = '1 .0 tc1 * (T는 - 25.0) tc2 * (T는 - 25.0) * (T는 - 25.0) '
r1 n1 n2 'rsh * (전 / W 등) * (1 vc1 * 복근 (v를 (n2, n1)) vc2 * v를 (n2, n1) * v를 (n2, n1)) * tpar'
. rm4 종료
* rm5 = 메탈 5 저항기
. subckt rm5 n1 n2 난 = 길이 승 = 너비
. param rsh = 0.04 tc1 = 3.68E - 03 tc2 =- 1.46E - 06 vc1 = 0 vc2 = 0t = '성격'
. param tpar = '1 .0 tc1 * (T는 - 25.0) tc2 * (T는 - 25.0) * (T는 - 25.0) '
r1 n1 n2 'rsh * (전 / W 등) * (1 vc1 * 복근 (v를 (n2, n1)) vc2 * v를 (n2, n1) * v를 (n2, n1)) * tpar'
. rm5 종료
. endl 예약 상황에 따라
S
srivatsan
Guest
친애하는 Vamsi :
고마 와요 ..
<img src="http://www.edaboard.com/images/smiles/icon_cool.gif" alt="차가운" border="0" />
내가 여기에 몇 가지 아이디어를 얻을 것 같아요.당신이 내게 그 모델의 인스턴스 .... 얻을 수있는 방법이 있나요같은
x123 1 2리터 = 2U 크기 승 = 3U 베스트 팔렌
또는 비슷한 ..그냥 .. 그것의 인스턴스를 확인하는 방법
내가 그걸 어떻게 알아요을하자 것이다과 희망이 포럼에서 저항의 더 나은 시야를 얻을 수있습니다 .... 다른 것
안부,
srivats
고마 와요 ..
<img src="http://www.edaboard.com/images/smiles/icon_cool.gif" alt="차가운" border="0" />
내가 여기에 몇 가지 아이디어를 얻을 것 같아요.당신이 내게 그 모델의 인스턴스 .... 얻을 수있는 방법이 있나요같은
x123 1 2리터 = 2U 크기 승 = 3U 베스트 팔렌
또는 비슷한 ..그냥 .. 그것의 인스턴스를 확인하는 방법
내가 그걸 어떻게 알아요을하자 것이다과 희망이 포럼에서 저항의 더 나은 시야를 얻을 수있습니다 .... 다른 것
안부,
srivats
V
Vamsi Mocherla
Guest
뭐 완벽하게 작성해야 옳다.대부분의 인스턴스는 다음과
XRES1 1 0 RPGPNS 패 = 30u 승 = 2U 크기
혹시 mutliple 손가락을 갖고 싶어
XRES2 1 0 RPGPNS 패 = 6U 승 = 2U 크기 남 = 5
XRES1 1 0 RPGPNS 패 = 30u 승 = 2U 크기
혹시 mutliple 손가락을 갖고 싶어
XRES2 1 0 RPGPNS 패 = 6U 승 = 2U 크기 남 = 5
S
srivatsan
Guest
친애하는 Vamsi,
나는 그것을 시도 ..난 작은 실수라고 생각 ...
다음과 같은 진술이 나타나는 "ext2spice"명령 : 사용 후
M1000 nRb c_n237_n48 Vdd GND로 phrResistor 승 = 4.2ul = 15u
광고 = 0p 경찰 = 0u = 0p 추신 = 0u로
그럼 변경하고 .. subcircuit 성명을 추가한 후그것됩니다 :
X1000 nRb c_n237_n48 Vdd GND로 phrResistor 승 = 4.2ul = 15u
. subckt phrResistor dgsbw = 폭 난 = 길이
. param rsheet = 1120
rbias ds는 'rsheet * (전 / W 등)'
rd1 0 GD로
rd2 b 0 0 0
. phrResistor 종료하지만 그것이 전혀 작동하지 않습니다.나는 문제가 자리 수없습니다입니다.
다음과 같은 노력 debugs : 모두 rd1 rd2있습니다 ...i가 0 값을 따옴표를했다.그것을 전혀 작동.
당신이 자리 수 있을까요?나한 테도 알려줘.감사합니다.
srivatsan
나는 그것을 시도 ..난 작은 실수라고 생각 ...
다음과 같은 진술이 나타나는 "ext2spice"명령 : 사용 후
M1000 nRb c_n237_n48 Vdd GND로 phrResistor 승 = 4.2ul = 15u
광고 = 0p 경찰 = 0u = 0p 추신 = 0u로
그럼 변경하고 .. subcircuit 성명을 추가한 후그것됩니다 :
X1000 nRb c_n237_n48 Vdd GND로 phrResistor 승 = 4.2ul = 15u
. subckt phrResistor dgsbw = 폭 난 = 길이
. param rsheet = 1120
rbias ds는 'rsheet * (전 / W 등)'
rd1 0 GD로
rd2 b 0 0 0
. phrResistor 종료하지만 그것이 전혀 작동하지 않습니다.나는 문제가 자리 수없습니다입니다.
다음과 같은 노력 debugs : 모두 rd1 rd2있습니다 ...i가 0 값을 따옴표를했다.그것을 전혀 작동.
당신이 자리 수 있을까요?나한 테도 알려줘.감사합니다.
srivatsan
V
Vamsi Mocherla
Guest
시도 쓰고
rd1 0.00001 GD로
rd2 b 0 매우 높은
수도 거기에 0 값을 있기 때문에 몇 가지 문제가있습니다.그들이 언급하지 마십시오.아니면 문제가 저항의 유형을 여기 수있습니다.b VDD에 연결하고 XCALL 수준에서 소스와 드레인 연결 바꾸란
rd1 0.00001 GD로
rd2 b 0 매우 높은
수도 거기에 0 값을 있기 때문에 몇 가지 문제가있습니다.그들이 언급하지 마십시오.아니면 문제가 저항의 유형을 여기 수있습니다.b VDD에 연결하고 XCALL 수준에서 소스와 드레인 연결 바꾸란
S
srivatsan
Guest
친애하는 Vamsi :
대신 b와 g 노드와 함께 일하고, 난 그들을 제거하고 두 개의 터미널 subcircuit처럼 볼 수있다.이 작품을 경우, 그것을 다른 두 노드를 넣으려면 시간이 걸릴 실거예요.따라서 subcircuit 포함된 유일한 d 및 노드들.
다음과 같은 문장에서 그것은 결과입니다.
c_n40_37 Vdd GND로 phrResistor 승 = 5.7ul = 21.6u * M1000 없음
* = 0p 추신 = 0u는 광고 = 0p 경찰 = 0u
X1000 Vdd rphrResistor 없음
* 승 = 5.7ul = 57.0u
. subckt rphrResistor ds는
. param 승 = 5.7e - 6리터 = 57.0e - 6 rsquare = 1120
rbias ds는 'rsquare * 난 / w에서'
. rphrResistor 종료
참고 : 너와 내가 진행했던 방식을 볼 수있습니다 asterik 진술을 포함시켰습니다.
다음과 같은 오류 이것은 결과 :
. param 승 = 5.7ul = 57.0 rsquare = 1120
unimplemented 제어 카드 - 오류또 다른 방법은 내가 가져간 : 다음과 같은 문장입니다
X1000 Vdd rphrResistor 승 = 5.7ul = 57.0u 없음
. subckt rphrResistor ds는 rphrResistor 승 = 폭 난 = 길이
. param rsquare = 1120
rbias ds는 'rsquare * 난 / w에서'
. rphrResistor 종료
오류가 발생과 관련된 :
오류 : Vdd ....... 밖으로 알려지지 않은 subckt X1000
그 덕에 여기까지 당했다.물론 내가 내가 및 W 및 단지 rbias을 위해 .... 작품 10e3 넣어 제거 중(따옴표 제외) 이내에.
만약 당신이 나를 도울 수 있는지 ...감사합니다.
Srivats
대신 b와 g 노드와 함께 일하고, 난 그들을 제거하고 두 개의 터미널 subcircuit처럼 볼 수있다.이 작품을 경우, 그것을 다른 두 노드를 넣으려면 시간이 걸릴 실거예요.따라서 subcircuit 포함된 유일한 d 및 노드들.
다음과 같은 문장에서 그것은 결과입니다.
c_n40_37 Vdd GND로 phrResistor 승 = 5.7ul = 21.6u * M1000 없음
* = 0p 추신 = 0u는 광고 = 0p 경찰 = 0u
X1000 Vdd rphrResistor 없음
* 승 = 5.7ul = 57.0u
. subckt rphrResistor ds는
. param 승 = 5.7e - 6리터 = 57.0e - 6 rsquare = 1120
rbias ds는 'rsquare * 난 / w에서'
. rphrResistor 종료
참고 : 너와 내가 진행했던 방식을 볼 수있습니다 asterik 진술을 포함시켰습니다.
다음과 같은 오류 이것은 결과 :
. param 승 = 5.7ul = 57.0 rsquare = 1120
unimplemented 제어 카드 - 오류또 다른 방법은 내가 가져간 : 다음과 같은 문장입니다
X1000 Vdd rphrResistor 승 = 5.7ul = 57.0u 없음
. subckt rphrResistor ds는 rphrResistor 승 = 폭 난 = 길이
. param rsquare = 1120
rbias ds는 'rsquare * 난 / w에서'
. rphrResistor 종료
오류가 발생과 관련된 :
오류 : Vdd ....... 밖으로 알려지지 않은 subckt X1000
그 덕에 여기까지 당했다.물론 내가 내가 및 W 및 단지 rbias을 위해 .... 작품 10e3 넣어 제거 중(따옴표 제외) 이내에.
만약 당신이 나를 도울 수 있는지 ...감사합니다.
Srivats
V
Vamsi Mocherla
Guest
얘야, vatsan
당신의 갑판에 사용 및 더미를 실행 준 OP는 분석 맥.내가 파일을 실행할 수있게되었습니다.그리고 알맞은 난 어떤 오류가보고 아닙니다.다음과 같은 사항 양념 파일입니다************************************************** **********
c_n40_37 Vdd GND로 phrResistor 승 = 5.7ul = 21.6u * M1000 없음
* = 0p 추신 = 0u는 광고 = 0p 경찰 = 0u
X1000 Vdd rphrResistor 없음
* 승 = 5.7ul = 57.0u
. subckt rphrResistor ds는
. param 승 = 5.7e - 6리터 = 57.0e - 6 rsquare = 1120
rbias ds는 'rsquare * 난 / w에서'
. rphrResistor 종료
VDD 0 5V의 맥 1V 미만의 VDD
카스티 0 1P에서 없음
. 찍기
. 맥 12월 1일 100M 10
. 엔드이건 내가 향신료에서 저항 값을 계산이 당으로서 가치가 맞습니다. LIS를 파일 가지고 결과입니다연구 가치가 11.2000k사례 2
=====
또한 길이와 너비에 대한 데이터를 수출하고있습니다.제발이 따릅니다. LIS를 전체 내용 파일
초기화 : HSPICE 초기화 파일 : c : \ Synopsys의 \ Hspice2003.03 \ hspice.ini
* hspice.ini
*
초기 PC의 HSPICE 릴리스에 대해서만 *를 사용하여 아스키
*
= 2 게시할 수있습니다. 옵션
* M1000 아웃 c_n40_37 VDD GND로 phrresistor 승 = 5.7ul = 21.6u
* = 0p 추신 = 0u는 광고 = 0p 경찰 = 0u
X1000을 VDD rphrresistor 길이 = 57u 폭 = 5.7u
* 승 = 5.7ul = 57.0u
. subckt rphrresistor ds는
. param 난 = 길이 승 = 폭 rsquare = 1120
rbias ds는 'rsquare * 난 / w에서'
. rphrresistor 종료
VDD 0 5V의 맥 1V 미만의 VDD
0 1P에서 밖으로 카스티 야
. 찍기
. 맥 12월 10일 1 100meg
. 엔드
1 ****** HSPICE - 어 - 2003.03 (20,030,106) 20시 51분 24초 2005년 3월 3일 pCnt
******
************************************************** **********
****** 회로 이름을 디렉토리
******
회로 번호 회로 이름을 디렉토리
번호 circuitname 정의 배율
0 주 회로
1 X1000.rphrresistor 1.00
영업 음모 단위 = 79
파일 =에 c : \ proj \ 양념 \ restest.pa0
1 ****** HSPICE - 어 - 2003.03 (20,030,106) 20시 51분 24초 2005년 3월 3일 pCnt
******
************************************************** **********
****** 운영 지점 정보 tnom = 25.000 온도 = 25.000
******
운영 포인트 ***** 상태를 시뮬레이션 시간은 0입니다.
노드 = 노드 전압 = 전압
0 : 아웃 = 5.0000 0 : VDD = 5.0000**** 전압 소스
subckt
요소 0 : VDD
볼트 5.0000
현재 0.
전원 0.총 전압 소스 전력 소모 = 0.와트
**** 저항
subckt X1000
요소 1 : rbias
연구 가치가 11.2000k
v를 드롭 0.
현재 0.
전원 0.
영업 음모 단위 = 79
파일 =에 c : \ proj \ 양념 \ restest.ac0***** 작업 결론
1 ****** HSPICE - 어 - 2003.03 (20,030,106) 20시 51분 24초 2005년 3월 3일 pCnt
******
************************************************** **********
****** 직업 통계를 요약 tnom = 25.000 온도 = 25.000
******
전체 메모리 사용 154 kbytes
# 노드 = 3 # 요소 = 3
# 다이오드 = 0 # bjts = 0 # jfets = 0 # MOSFET을 = 0
분석 시간 # 포인트 더하다.iter conv.iter
작전 지점을 0.04 1 4
분석 결과는 ac, 0.06 81 81
읽는데 0.00
errchk 0.02
설치 0.09
출력 0.00
총 CPU 시간은 0.20 초
직업 20시 51분 24초 2005년 3월 3일에서 시작
직업 20시 51분 35초 2005년 3월 3일 마감LIC : 릴리스 hspicewin 토큰을 (들)
당신의 갑판에 사용 및 더미를 실행 준 OP는 분석 맥.내가 파일을 실행할 수있게되었습니다.그리고 알맞은 난 어떤 오류가보고 아닙니다.다음과 같은 사항 양념 파일입니다************************************************** **********
c_n40_37 Vdd GND로 phrResistor 승 = 5.7ul = 21.6u * M1000 없음
* = 0p 추신 = 0u는 광고 = 0p 경찰 = 0u
X1000 Vdd rphrResistor 없음
* 승 = 5.7ul = 57.0u
. subckt rphrResistor ds는
. param 승 = 5.7e - 6리터 = 57.0e - 6 rsquare = 1120
rbias ds는 'rsquare * 난 / w에서'
. rphrResistor 종료
VDD 0 5V의 맥 1V 미만의 VDD
카스티 0 1P에서 없음
. 찍기
. 맥 12월 1일 100M 10
. 엔드이건 내가 향신료에서 저항 값을 계산이 당으로서 가치가 맞습니다. LIS를 파일 가지고 결과입니다연구 가치가 11.2000k사례 2
=====
또한 길이와 너비에 대한 데이터를 수출하고있습니다.제발이 따릅니다. LIS를 전체 내용 파일
초기화 : HSPICE 초기화 파일 : c : \ Synopsys의 \ Hspice2003.03 \ hspice.ini
* hspice.ini
*
초기 PC의 HSPICE 릴리스에 대해서만 *를 사용하여 아스키
*
= 2 게시할 수있습니다. 옵션
* M1000 아웃 c_n40_37 VDD GND로 phrresistor 승 = 5.7ul = 21.6u
* = 0p 추신 = 0u는 광고 = 0p 경찰 = 0u
X1000을 VDD rphrresistor 길이 = 57u 폭 = 5.7u
* 승 = 5.7ul = 57.0u
. subckt rphrresistor ds는
. param 난 = 길이 승 = 폭 rsquare = 1120
rbias ds는 'rsquare * 난 / w에서'
. rphrresistor 종료
VDD 0 5V의 맥 1V 미만의 VDD
0 1P에서 밖으로 카스티 야
. 찍기
. 맥 12월 10일 1 100meg
. 엔드
1 ****** HSPICE - 어 - 2003.03 (20,030,106) 20시 51분 24초 2005년 3월 3일 pCnt
******
************************************************** **********
****** 회로 이름을 디렉토리
******
회로 번호 회로 이름을 디렉토리
번호 circuitname 정의 배율
0 주 회로
1 X1000.rphrresistor 1.00
영업 음모 단위 = 79
파일 =에 c : \ proj \ 양념 \ restest.pa0
1 ****** HSPICE - 어 - 2003.03 (20,030,106) 20시 51분 24초 2005년 3월 3일 pCnt
******
************************************************** **********
****** 운영 지점 정보 tnom = 25.000 온도 = 25.000
******
운영 포인트 ***** 상태를 시뮬레이션 시간은 0입니다.
노드 = 노드 전압 = 전압
0 : 아웃 = 5.0000 0 : VDD = 5.0000**** 전압 소스
subckt
요소 0 : VDD
볼트 5.0000
현재 0.
전원 0.총 전압 소스 전력 소모 = 0.와트
**** 저항
subckt X1000
요소 1 : rbias
연구 가치가 11.2000k
v를 드롭 0.
현재 0.
전원 0.
영업 음모 단위 = 79
파일 =에 c : \ proj \ 양념 \ restest.ac0***** 작업 결론
1 ****** HSPICE - 어 - 2003.03 (20,030,106) 20시 51분 24초 2005년 3월 3일 pCnt
******
************************************************** **********
****** 직업 통계를 요약 tnom = 25.000 온도 = 25.000
******
전체 메모리 사용 154 kbytes
# 노드 = 3 # 요소 = 3
# 다이오드 = 0 # bjts = 0 # jfets = 0 # MOSFET을 = 0
분석 시간 # 포인트 더하다.iter conv.iter
작전 지점을 0.04 1 4
분석 결과는 ac, 0.06 81 81
읽는데 0.00
errchk 0.02
설치 0.09
출력 0.00
총 CPU 시간은 0.20 초
직업 20시 51분 24초 2005년 3월 3일에서 시작
직업 20시 51분 35초 2005년 3월 3일 마감LIC : 릴리스 hspicewin 토큰을 (들)
S
srivatsan
Guest
오, 이런!!난 다시 내 NGSpice 시뮬레이터 ..와 underlaying 문제와 얻을 것이다
mintue 잠깐 : 당신은 HSPICE를 사용 ..난 NGSpice 사용 ...거기 시뮬레이터 구문 사이에 차이가 있나요??내가 될 백이면 백 이렇게 ....입니다
감사합니다 Vamsi ...
Srivatsan
mintue 잠깐 : 당신은 HSPICE를 사용 ..난 NGSpice 사용 ...거기 시뮬레이터 구문 사이에 차이가 있나요??내가 될 백이면 백 이렇게 ....입니다
감사합니다 Vamsi ...
Srivatsan
V
Vamsi Mocherla
Guest
친애하는 Vatsan,
내가 한 수있을 것 같습니다.그러나 이것은 매우 간단한 하위 놓칠 수 회로.그런에 확인하시기 바랍니다.
내가 한 수있을 것 같습니다.그러나 이것은 매우 간단한 하위 놓칠 수 회로.그런에 확인하시기 바랍니다.
S
srivatsan
Guest
친애하는 Vamsi :
내가 현재의 레퍼런스 회로와 시작을 위해 내 향신료 코드가 붙어있다.HSPICE를 사용하여 당신과 내가하려하여 내가 값 (VD)를 실행 알려주시기 바랍니다.감사합니다 ....
안부,
srivatsan
미안하지만, 당신이 첨부 파일을 보려면 로그인이 필요합니다
내가 현재의 레퍼런스 회로와 시작을 위해 내 향신료 코드가 붙어있다.HSPICE를 사용하여 당신과 내가하려하여 내가 값 (VD)를 실행 알려주시기 바랍니다.감사합니다 ....
안부,
srivatsan
미안하지만, 당신이 첨부 파일을 보려면 로그인이 필요합니다
V
Vamsi Mocherla
Guest
친애하는 Vatsan,
난 당신의 SPICE에서 맹목적으로 파일을 해본있다.난 몇 pA의 순서로 현재납니다.난 결과를 PDF로 장착시
미안하지만, 당신이 첨부 파일을 보려면 로그인이 필요합니다
난 당신의 SPICE에서 맹목적으로 파일을 해본있다.난 몇 pA의 순서로 현재납니다.난 결과를 PDF로 장착시
미안하지만, 당신이 첨부 파일을 보려면 로그인이 필요합니다
V
Vamsi Mocherla
Guest
친애하는 Vatsan,
내가 워싱턴 분석을 실행하려고 오전 VDD 가치를 싹쓸이, 난 초기 조건이 매우 큰 전류가납니다.VDD에 대한 진입로 변이 검사 ()에서 회로가 수렴되지 않습니다.당신은 거기 당신이 내게 보낸 파일에 아무런 문제가되는 거 아냐?왜냐하면, 이러한 가치, 내가 Netlist에 대한 호기심 오전 드물다.당신이 날 위해 설계도를 업데이트할 수 있습니까?
내가 워싱턴 분석을 실행하려고 오전 VDD 가치를 싹쓸이, 난 초기 조건이 매우 큰 전류가납니다.VDD에 대한 진입로 변이 검사 ()에서 회로가 수렴되지 않습니다.당신은 거기 당신이 내게 보낸 파일에 아무런 문제가되는 거 아냐?왜냐하면, 이러한 가치, 내가 Netlist에 대한 호기심 오전 드물다.당신이 날 위해 설계도를 업데이트할 수 있습니까?
S
srivatsan
Guest
친애하는 Vamsi,
그래도 그들은 레이아웃에서 위치; 내가 printscreen 및 몇 가지 이유를 JPEG로 저장할 수있는 게 아니 ...여기서는 잘 라틴계 파일을 다시는 ...왜냐하면 나의 회로 7uA의 유령 때 ngspice 정확한 시뮬레이션을 제공합니다 물건 defintiely 난별로 놀랍지도 않군.누나 HSPICE 이후로, 그 사실은 내로 확증해야합니다.제발 날 위해 다음과 같은 하나의 시뮬레이션; 그들은 동일한 파일입니다.제가 업로드와 레이아웃을 최대한 설계도.고마 와요 ..
안부,
srivatsan
양념 코드 :
* SPICE3 - 기술 : scmos stcm3.ext에서 만든 파일을
M1000 Vdd Vdd GND로 a_n57_n260 PFET 승 = 1.8ul = 43.2u
광고 = 271.08p 경찰 = 352.2u = 3.24p ps 이하 = 7.2u로
m1001 a_6_0 n13 nRb Vdd PFET 승 = 172.8ul = 1.8u
광고 = 194.4p 경찰 = 252u = 174.96p 추신 = 226.8u로
m1002 n21 n9 a_6_0 Vdd PFET 승 = 43.2ul = 1.8u
광고 = 38.88p 경찰 = 50.4u = 0p 추신 = 0u로
m1003 a_255_n22 a_255_n22 Vdd Vdd PFET 승 = 28.2ul = 0.6u
광고 = 50.76p 경찰 = 63.6u = 0p 추신 = 0u로
m1004 n178 n178 a_255_n22 Vdd PFET 승 = 28.2ul = 1.8u
광고 = 25.38p 경찰 = 31.8u = 0p 추신 = 0u로
m1005 Vdd Vdd n9 n9 PFET 승 = 10.8ul = 1.8u
광고 = 0p 경찰 = 0u = 19.44p 추신 = 25.2u로
m1006 a_60_n107 n13 Vdd Vdd PFET 승 = 43.2ul = 1.8u
광고 = 77.76p 경찰 = 100.8u = 0p 추신 = 0u로
m1007 n13 n9 a_60_n107 Vdd PFET 승 = 43.2ul = 1.8u
광고 = 38.88p 경찰 = 50.4u = 0p 추신 = 0u로
m1008 a_176_n107 n13 Vdd Vdd PFET 승 = 43.2ul = 1.8u
광고 = 77.76p 경찰 = 100.8u = 0p 추신 = 0u로
m1009 n7 n9 a_176_n107 Vdd PFET 승 = 43.2ul = 1.8u
광고 = 38.88p 경찰 = 50.4u = 0p 추신 = 0u로
m1010 n152 n13 Vdd Vdd PFET 승 = 21.6ul = 1.8u
광고 = 19.44p 경찰 = 25.2u = 0p 추신 = 0u로
m1011 a_n57_n260 n7 접지 nfet 승 = 14.4ul = 1.8u
광고 = 12.96p 경찰 = 54u = 121.5p ps 이하 = 505.2u로
m1012 n13 a_n57_n260 접지 nfet 승 = 14.4ul = 1.8u
광고 = 25.92p 경찰 = 108u = 0p 추신 = 0u로
m1013 n9 a_n57_n260 접지 nfet 승 = 14.4ul = 1.8u
광고 = 25.92p 경찰 = 108u = 0p 추신 = 0u로
m1014 GND로 n21 n178 GND로 nfet 승 = 7.2ul = 1.8u
광고 = 0p 경찰 = 0u = 12.96p 추신 = 54u로
m1015 a_64_n260 n21 접지 nfet 승 = 14.4ul = 1.8u
광고 = 25.92p 경찰 = 108u = 0p 추신 = 0u로
m1016 n21 n7 a_64_n260 GND로 nfet 승 = 14.4ul = 1.8u
광고 = 12.96p 경찰 = 54u = 0p 추신 = 0u로
m1017 a_112_n260 n21 접지 nfet 승 = 14.4ul = 1.8u
광고 = 25.92p 경찰 = 108u = 0p 추신 = 0u로
m1018 n13 n7 a_112_n260 GND로 nfet 승 = 14.4ul = 1.8u
광고 = 0p 경찰 = 0u = 0p 추신 = 0u로
m1019 a_160_n260 n21 접지 nfet 승 = 14.4ul = 1.8u
광고 = 25.92p 경찰 = 108u = 0p 추신 = 0u로
m1020 n9 n7 a_160_n260 GND로 nfet 승 = 14.4ul = 1.8u
광고 = 0p 경찰 = 0u = 0p 추신 = 0u로
m1021 n7 n7 접지 nfet 승 = 3.6ul = 1.8u
광고 = 6.48p 경찰 = 27.6u = 0p 추신 = 0u로
m1022 a_247_n230 a_247_n230 접지 nfet 승 = 9.3ul = 0.6u
광고 = 16.74p 경찰 = 70.2u = 0p 추신 = 0u로
m1023 n152 n152 a_247_n230 GND로 nfet 승 = 9.3ul = 1.8u
광고 = 16.74p 경찰 = 70.2u = 0p 추신 = 0u로
C0 Vdd n152 4.3fF
에 C1 Vdd n7 5.5fF
C2를 Vdd a_176_n107 3.6fF
C3을 Vdd a_60_n107 3.6fF
C4를 Vdd a_n57_n260 2.7fF
C5 Vdd n178 15.5fF
C6 Vdd a_255_n22 3.6fF
C7 Vdd n21 15.8fF
C8 n13 a_6_0 3.9fF
C9 n13 nRb 5.5fF
C10 Vdd a_6_0 9.7fF
C11 Vdd nRb 11.2fF
C12 n13 n9 3.2fF
C13 Vdd n9 54.8fF
C14 Vdd GND로 16.8fF
C15 Vdd n13 77.2fF
C16 n21 n7 3.1fF
C17 nRb a_6_0 3.1fF
C18 a_160_n260 GND로 4.8fF
C19 a_112_n260 GND로 4.8fF
C20 a_64_n260 GND로 4.8fF
C21 a_247_n230 GND로 2.9fF
C22 n152 GND로 11.0fF
C23 n7 GND로 35.9fF
C24 a_176_n107 GND로 9.2fF
C25 a_60_n107 GND로 9.2fF
C26 a_n57_n260 GND로 13.8fF
C27 n178 GND로 17.9fF
C28 a_255_n22 GND로 6.0fF
C29 n21 GND로 30.9fF
C30 a_6_0 GND로 23.2fF
C31 nRb GND로 22.0fF
C32 n9 GND로 20.7fF
C33 접지 190.2fF
C34 n13 GND로 27.0fF
C35 Vdd GND로 536.3fF
* 모델 NMOS 트랜지스터에 대한
. nfet 모델 NMOS (수준 = 8
버전 = 3.2 TNOM = 27 독극물 = 1.42E - 8
nch = 1.7E17 VTH0 = 0.6106006
K1 = 0.8791418 K2 정상 = -0.0928691 K3은 = 18.3613087
K3B에서는 = -8.1787847 W0 = 1E - 8 NLX = 1E - 9
DVT0W = 0 DVT1W = 0 DVT2W = 0
DVT0 = 3.5655768 DVT1 = 0.3802648 DVT2 = -0.0874051
U0 = 452.6968866 UA는 = 1.406301E - 13 유비 = 1.618501E - 18
UC = 5.36169E - 12 VSAT = 1.802287E5 A0 = 0.5750334
AGS = 0.1061895 B0 = 2.728576E - 6 지하 1 층 = 5E 호야 - 6
KETA = - 8.123787E - 5 대답 = 4.190554E - 4 A2에서 = 0.3323258
RDSW = 1.06188E3 PRWG = 0.0883334 PRWB = 0.0315574
WR = 1 WINT = 2.308608E - 7 보풀 = 7.347987E - 8
XL에 = 1E - 7 DWG = - 1.605516E - 8
DWB = 3.927415E - 8 VOFF = 0 NFACTOR = 0.4571776
CIT를 = 0 CDSC = 2.4E - 4 CDSCD = 0
CDSCB = 0 ETA0 = 2.176689E - 3 ETAB = - 8.669487E - 5
DSUB = 0.0553447 PCLM = 2.4898877 PDIBLC1 = 1
PDIBLC2 = 2.156583E - 3 PDIBLCB = -0.0394428 DROUT = 0.9016259
PSCBE1 = 6.238215E8 PSCBE2 = 1.760403E - 4 = 0 PVAG
DELTA = 0.01 RSH = 83.8 MOBMOD = 1
PRT를 = 0 ute = -1.5 KT1 = -0.11
KT1L = 0 KT2 = 0.022 UA1 = 4.31E - 9
UB1 = - 7.61E - 18 uc1 = - 5.6E - 11은 AT = 3.3E4
WL = 0 = 1 트면 = 0 WLN
WWN = 1 WWL = 0 청각 = 0
LLN = 1 LW = 0 LWN = 1
LWL = 0 CAPMOD = 2 XPART = 0.5
CGDO = 1.97E - 10 CGSO = 1.97E - 10 CGBO = 1E - 9
CJ는 = 4.315315E - 4 샌드위치 = 0.9194059 엠제이 = 0.4344423
CJSW = 3.335714E - 10 PBSW = 0.8 MJSW = 0.1985616
CJSWG = 1.64E - 10 PBSWG = 0.8 = 0.1985616 MJSWG
CF = 0 PVTH0 = 0.1570368 PRDSW = 187.3761409
PK2 = -0.0254353 WKETA = -0.0181601 LKETA = 1.265053E - 3)
** 모델 PMOS 트랜지스터에 대한
. 모델 PFET PMOS (수준 = 8
버전 = 3.2 TNOM = 27 독극물 = 1.42E - 8
nch = 1.7E17 VTH0 = -0.9836276
K1 = 0.5265664 K2 정상 = 0.0213923 K3은 = 4.4911263
K3B에서는 = -0.6532905 W0 = 1E - 8 NLX = 1E - 9
DVT0W = 0 DVT1W = 0 DVT2W = 0
DVT0 = 2.6487289 DVT1 = 0.4862165 DVT2 = -0.0896609
U0 = 222.1424772 UA는 = 3.307877E - 9 유비 = 2.667897E - 21
UC = - 5.80948E - 11 VSAT = 2E5 A0 = 0.8813584
AGS = 0.1156322 B0 = 7.044894E - 7 지하 1 층 = 3.350124E - 6
KETA = 4.719307E - 4 대답 = 0 대답 = 0.3
RDSW = 3E3 PRWG = -0.0562354 PRWB = - 5.560433E - 3
WR = 1 WINT = 2.962387E - 7 보풀 = 9.667582E - 8
XL에 = 1E - 7 DWG = - 3.741786E - 8
DWB = 1.377762E - 8 VOFF = -0.0788978 NFACTOR = 0.6687895
CIT를 = 0 CDSC = 2.4E - 4 CDSCD = 0
CDSCB = 0 ETA0 = 0.4372057 ETAB = -0.0880016
DSUB = 1 PCLM = 2.1801812 PDIBLC1 = 0.0430345
PDIBLC2 = 3.544969E - 3 PDIBLCB = -0.0720123 DROUT = 0.2036798
PSCBE1 = 5.329158E9 PSCBE2 = 5E 호야 - 10 = 0.2660196 PVAG
DELTA = 0.01 RSH = 106.9 MOBMOD = 1
PRT를 = 0 ute = -1.5 KT1 = -0.11
KT1L = 0 KT2 = 0.022 UA1 = 4.31E - 9
UB1 = - 7.61E - 18 uc1 = - 5.6E - 11은 AT = 3.3E4
WL = 0 = 1 트면 = 0 WLN
WWN = 1 WWL = 0 청각 = 0
LLN = 1 LW = 0 LWN = 1
LWL = 0 CAPMOD = 2 XPART = 0.5
CGDO = 2.72E - 10 CGSO = 2.72E - 10 CGBO = 1E - 9
CJ는 = 7.257637E - 4 샌드위치 = 0.9604987 엠제이 = 0.4949935
CJSW = 3.242689E - 10 PBSW = 0.99 MJSW = 0.3345497
CJSWG = 6.4E - 11 PBSWG = 0.99 = 0.3345497 MJSWG
CF = 0 PVTH0 = 5.98016E - 3 PRDSW = 14.8598424
PK2 = 3.73981E - 3 WKETA = 3.808346E - 3 LKETA = - 6.010447E - 3)
** 측정 전류를 통해 각 지점의 회로의* 기본 바이어스 전압
VD Vdd 0 직류 5
VG GND로 0 직류 0
RB nRb Vdd 3.5k
* 다음과 같이 실행 부 ..........
. 트란 2e - 6 2e - 3추가 14 분 후 :친애하는 Vamsi :
여기 개략도이다; 저항 3.5k에 저항 유사 cirucit 존중과 이해가 변경되었습니다.다행히 그들은 당신 cirucit 이해할 수 있도록 도와 ..도움을 주셔서 감사합니다 ..
안부,
srivatsan등록일 32초 후 :친애하는 Vamsi :
여기 개략도이다; 저항 3.5k에 저항 유사 cirucit 존중과 이해가 변경되었습니다.다행히 그들은 당신 cirucit 이해할 수 있도록 도와 ..도움을 주셔서 감사합니다 ..
안부,
srivatsan
추신; : 우발적으로 이전 한 cirucit 첨부하지 않았다.
미안하지만, 당신이 첨부 파일을 보려면 로그인이 필요합니다
그래도 그들은 레이아웃에서 위치; 내가 printscreen 및 몇 가지 이유를 JPEG로 저장할 수있는 게 아니 ...여기서는 잘 라틴계 파일을 다시는 ...왜냐하면 나의 회로 7uA의 유령 때 ngspice 정확한 시뮬레이션을 제공합니다 물건 defintiely 난별로 놀랍지도 않군.누나 HSPICE 이후로, 그 사실은 내로 확증해야합니다.제발 날 위해 다음과 같은 하나의 시뮬레이션; 그들은 동일한 파일입니다.제가 업로드와 레이아웃을 최대한 설계도.고마 와요 ..
안부,
srivatsan
양념 코드 :
* SPICE3 - 기술 : scmos stcm3.ext에서 만든 파일을
M1000 Vdd Vdd GND로 a_n57_n260 PFET 승 = 1.8ul = 43.2u
광고 = 271.08p 경찰 = 352.2u = 3.24p ps 이하 = 7.2u로
m1001 a_6_0 n13 nRb Vdd PFET 승 = 172.8ul = 1.8u
광고 = 194.4p 경찰 = 252u = 174.96p 추신 = 226.8u로
m1002 n21 n9 a_6_0 Vdd PFET 승 = 43.2ul = 1.8u
광고 = 38.88p 경찰 = 50.4u = 0p 추신 = 0u로
m1003 a_255_n22 a_255_n22 Vdd Vdd PFET 승 = 28.2ul = 0.6u
광고 = 50.76p 경찰 = 63.6u = 0p 추신 = 0u로
m1004 n178 n178 a_255_n22 Vdd PFET 승 = 28.2ul = 1.8u
광고 = 25.38p 경찰 = 31.8u = 0p 추신 = 0u로
m1005 Vdd Vdd n9 n9 PFET 승 = 10.8ul = 1.8u
광고 = 0p 경찰 = 0u = 19.44p 추신 = 25.2u로
m1006 a_60_n107 n13 Vdd Vdd PFET 승 = 43.2ul = 1.8u
광고 = 77.76p 경찰 = 100.8u = 0p 추신 = 0u로
m1007 n13 n9 a_60_n107 Vdd PFET 승 = 43.2ul = 1.8u
광고 = 38.88p 경찰 = 50.4u = 0p 추신 = 0u로
m1008 a_176_n107 n13 Vdd Vdd PFET 승 = 43.2ul = 1.8u
광고 = 77.76p 경찰 = 100.8u = 0p 추신 = 0u로
m1009 n7 n9 a_176_n107 Vdd PFET 승 = 43.2ul = 1.8u
광고 = 38.88p 경찰 = 50.4u = 0p 추신 = 0u로
m1010 n152 n13 Vdd Vdd PFET 승 = 21.6ul = 1.8u
광고 = 19.44p 경찰 = 25.2u = 0p 추신 = 0u로
m1011 a_n57_n260 n7 접지 nfet 승 = 14.4ul = 1.8u
광고 = 12.96p 경찰 = 54u = 121.5p ps 이하 = 505.2u로
m1012 n13 a_n57_n260 접지 nfet 승 = 14.4ul = 1.8u
광고 = 25.92p 경찰 = 108u = 0p 추신 = 0u로
m1013 n9 a_n57_n260 접지 nfet 승 = 14.4ul = 1.8u
광고 = 25.92p 경찰 = 108u = 0p 추신 = 0u로
m1014 GND로 n21 n178 GND로 nfet 승 = 7.2ul = 1.8u
광고 = 0p 경찰 = 0u = 12.96p 추신 = 54u로
m1015 a_64_n260 n21 접지 nfet 승 = 14.4ul = 1.8u
광고 = 25.92p 경찰 = 108u = 0p 추신 = 0u로
m1016 n21 n7 a_64_n260 GND로 nfet 승 = 14.4ul = 1.8u
광고 = 12.96p 경찰 = 54u = 0p 추신 = 0u로
m1017 a_112_n260 n21 접지 nfet 승 = 14.4ul = 1.8u
광고 = 25.92p 경찰 = 108u = 0p 추신 = 0u로
m1018 n13 n7 a_112_n260 GND로 nfet 승 = 14.4ul = 1.8u
광고 = 0p 경찰 = 0u = 0p 추신 = 0u로
m1019 a_160_n260 n21 접지 nfet 승 = 14.4ul = 1.8u
광고 = 25.92p 경찰 = 108u = 0p 추신 = 0u로
m1020 n9 n7 a_160_n260 GND로 nfet 승 = 14.4ul = 1.8u
광고 = 0p 경찰 = 0u = 0p 추신 = 0u로
m1021 n7 n7 접지 nfet 승 = 3.6ul = 1.8u
광고 = 6.48p 경찰 = 27.6u = 0p 추신 = 0u로
m1022 a_247_n230 a_247_n230 접지 nfet 승 = 9.3ul = 0.6u
광고 = 16.74p 경찰 = 70.2u = 0p 추신 = 0u로
m1023 n152 n152 a_247_n230 GND로 nfet 승 = 9.3ul = 1.8u
광고 = 16.74p 경찰 = 70.2u = 0p 추신 = 0u로
C0 Vdd n152 4.3fF
에 C1 Vdd n7 5.5fF
C2를 Vdd a_176_n107 3.6fF
C3을 Vdd a_60_n107 3.6fF
C4를 Vdd a_n57_n260 2.7fF
C5 Vdd n178 15.5fF
C6 Vdd a_255_n22 3.6fF
C7 Vdd n21 15.8fF
C8 n13 a_6_0 3.9fF
C9 n13 nRb 5.5fF
C10 Vdd a_6_0 9.7fF
C11 Vdd nRb 11.2fF
C12 n13 n9 3.2fF
C13 Vdd n9 54.8fF
C14 Vdd GND로 16.8fF
C15 Vdd n13 77.2fF
C16 n21 n7 3.1fF
C17 nRb a_6_0 3.1fF
C18 a_160_n260 GND로 4.8fF
C19 a_112_n260 GND로 4.8fF
C20 a_64_n260 GND로 4.8fF
C21 a_247_n230 GND로 2.9fF
C22 n152 GND로 11.0fF
C23 n7 GND로 35.9fF
C24 a_176_n107 GND로 9.2fF
C25 a_60_n107 GND로 9.2fF
C26 a_n57_n260 GND로 13.8fF
C27 n178 GND로 17.9fF
C28 a_255_n22 GND로 6.0fF
C29 n21 GND로 30.9fF
C30 a_6_0 GND로 23.2fF
C31 nRb GND로 22.0fF
C32 n9 GND로 20.7fF
C33 접지 190.2fF
C34 n13 GND로 27.0fF
C35 Vdd GND로 536.3fF
* 모델 NMOS 트랜지스터에 대한
. nfet 모델 NMOS (수준 = 8
버전 = 3.2 TNOM = 27 독극물 = 1.42E - 8
nch = 1.7E17 VTH0 = 0.6106006
K1 = 0.8791418 K2 정상 = -0.0928691 K3은 = 18.3613087
K3B에서는 = -8.1787847 W0 = 1E - 8 NLX = 1E - 9
DVT0W = 0 DVT1W = 0 DVT2W = 0
DVT0 = 3.5655768 DVT1 = 0.3802648 DVT2 = -0.0874051
U0 = 452.6968866 UA는 = 1.406301E - 13 유비 = 1.618501E - 18
UC = 5.36169E - 12 VSAT = 1.802287E5 A0 = 0.5750334
AGS = 0.1061895 B0 = 2.728576E - 6 지하 1 층 = 5E 호야 - 6
KETA = - 8.123787E - 5 대답 = 4.190554E - 4 A2에서 = 0.3323258
RDSW = 1.06188E3 PRWG = 0.0883334 PRWB = 0.0315574
WR = 1 WINT = 2.308608E - 7 보풀 = 7.347987E - 8
XL에 = 1E - 7 DWG = - 1.605516E - 8
DWB = 3.927415E - 8 VOFF = 0 NFACTOR = 0.4571776
CIT를 = 0 CDSC = 2.4E - 4 CDSCD = 0
CDSCB = 0 ETA0 = 2.176689E - 3 ETAB = - 8.669487E - 5
DSUB = 0.0553447 PCLM = 2.4898877 PDIBLC1 = 1
PDIBLC2 = 2.156583E - 3 PDIBLCB = -0.0394428 DROUT = 0.9016259
PSCBE1 = 6.238215E8 PSCBE2 = 1.760403E - 4 = 0 PVAG
DELTA = 0.01 RSH = 83.8 MOBMOD = 1
PRT를 = 0 ute = -1.5 KT1 = -0.11
KT1L = 0 KT2 = 0.022 UA1 = 4.31E - 9
UB1 = - 7.61E - 18 uc1 = - 5.6E - 11은 AT = 3.3E4
WL = 0 = 1 트면 = 0 WLN
WWN = 1 WWL = 0 청각 = 0
LLN = 1 LW = 0 LWN = 1
LWL = 0 CAPMOD = 2 XPART = 0.5
CGDO = 1.97E - 10 CGSO = 1.97E - 10 CGBO = 1E - 9
CJ는 = 4.315315E - 4 샌드위치 = 0.9194059 엠제이 = 0.4344423
CJSW = 3.335714E - 10 PBSW = 0.8 MJSW = 0.1985616
CJSWG = 1.64E - 10 PBSWG = 0.8 = 0.1985616 MJSWG
CF = 0 PVTH0 = 0.1570368 PRDSW = 187.3761409
PK2 = -0.0254353 WKETA = -0.0181601 LKETA = 1.265053E - 3)
** 모델 PMOS 트랜지스터에 대한
. 모델 PFET PMOS (수준 = 8
버전 = 3.2 TNOM = 27 독극물 = 1.42E - 8
nch = 1.7E17 VTH0 = -0.9836276
K1 = 0.5265664 K2 정상 = 0.0213923 K3은 = 4.4911263
K3B에서는 = -0.6532905 W0 = 1E - 8 NLX = 1E - 9
DVT0W = 0 DVT1W = 0 DVT2W = 0
DVT0 = 2.6487289 DVT1 = 0.4862165 DVT2 = -0.0896609
U0 = 222.1424772 UA는 = 3.307877E - 9 유비 = 2.667897E - 21
UC = - 5.80948E - 11 VSAT = 2E5 A0 = 0.8813584
AGS = 0.1156322 B0 = 7.044894E - 7 지하 1 층 = 3.350124E - 6
KETA = 4.719307E - 4 대답 = 0 대답 = 0.3
RDSW = 3E3 PRWG = -0.0562354 PRWB = - 5.560433E - 3
WR = 1 WINT = 2.962387E - 7 보풀 = 9.667582E - 8
XL에 = 1E - 7 DWG = - 3.741786E - 8
DWB = 1.377762E - 8 VOFF = -0.0788978 NFACTOR = 0.6687895
CIT를 = 0 CDSC = 2.4E - 4 CDSCD = 0
CDSCB = 0 ETA0 = 0.4372057 ETAB = -0.0880016
DSUB = 1 PCLM = 2.1801812 PDIBLC1 = 0.0430345
PDIBLC2 = 3.544969E - 3 PDIBLCB = -0.0720123 DROUT = 0.2036798
PSCBE1 = 5.329158E9 PSCBE2 = 5E 호야 - 10 = 0.2660196 PVAG
DELTA = 0.01 RSH = 106.9 MOBMOD = 1
PRT를 = 0 ute = -1.5 KT1 = -0.11
KT1L = 0 KT2 = 0.022 UA1 = 4.31E - 9
UB1 = - 7.61E - 18 uc1 = - 5.6E - 11은 AT = 3.3E4
WL = 0 = 1 트면 = 0 WLN
WWN = 1 WWL = 0 청각 = 0
LLN = 1 LW = 0 LWN = 1
LWL = 0 CAPMOD = 2 XPART = 0.5
CGDO = 2.72E - 10 CGSO = 2.72E - 10 CGBO = 1E - 9
CJ는 = 7.257637E - 4 샌드위치 = 0.9604987 엠제이 = 0.4949935
CJSW = 3.242689E - 10 PBSW = 0.99 MJSW = 0.3345497
CJSWG = 6.4E - 11 PBSWG = 0.99 = 0.3345497 MJSWG
CF = 0 PVTH0 = 5.98016E - 3 PRDSW = 14.8598424
PK2 = 3.73981E - 3 WKETA = 3.808346E - 3 LKETA = - 6.010447E - 3)
** 측정 전류를 통해 각 지점의 회로의* 기본 바이어스 전압
VD Vdd 0 직류 5
VG GND로 0 직류 0
RB nRb Vdd 3.5k
* 다음과 같이 실행 부 ..........
. 트란 2e - 6 2e - 3추가 14 분 후 :친애하는 Vamsi :
여기 개략도이다; 저항 3.5k에 저항 유사 cirucit 존중과 이해가 변경되었습니다.다행히 그들은 당신 cirucit 이해할 수 있도록 도와 ..도움을 주셔서 감사합니다 ..
안부,
srivatsan등록일 32초 후 :친애하는 Vamsi :
여기 개략도이다; 저항 3.5k에 저항 유사 cirucit 존중과 이해가 변경되었습니다.다행히 그들은 당신 cirucit 이해할 수 있도록 도와 ..도움을 주셔서 감사합니다 ..
안부,
srivatsan
추신; : 우발적으로 이전 한 cirucit 첨부하지 않았다.
미안하지만, 당신이 첨부 파일을 보려면 로그인이 필요합니다
V
Vamsi Mocherla
Guest
친애하는 Vatsan,
이 상수 transconductance 회로입니다.시작을 잘 설계도에서 보인다.하지만, 두 가지 질문 :
1.승의 비율이있는 / 루프에있는 트랜지스터의 Ls.내가 그것을 방정식 VGS1 = VGS2 만족 적외선 PMOS 트랜지스터를 가지고 다른 승 / Ls 필요 해요.나는 당신이 일을 돌봐시길 바랍니다.
2.회로 시작 약한 PMOS 트랜지스터의 올려 필요합니다.내가 transitor 꽤 강한 참조하십시오.좋은말 할 때 다시이뿐만 아니라 어서.추가 1 분 후 :내 ...... 사실은 약한 장치를 올려 안좋은데.전 승 그리고 난하지만 당신은 약간의 길이를 줄일 수와 혼동 하셨나?
이 상수 transconductance 회로입니다.시작을 잘 설계도에서 보인다.하지만, 두 가지 질문 :
1.승의 비율이있는 / 루프에있는 트랜지스터의 Ls.내가 그것을 방정식 VGS1 = VGS2 만족 적외선 PMOS 트랜지스터를 가지고 다른 승 / Ls 필요 해요.나는 당신이 일을 돌봐시길 바랍니다.
2.회로 시작 약한 PMOS 트랜지스터의 올려 필요합니다.내가 transitor 꽤 강한 참조하십시오.좋은말 할 때 다시이뿐만 아니라 어서.추가 1 분 후 :내 ...... 사실은 약한 장치를 올려 안좋은데.전 승 그리고 난하지만 당신은 약간의 길이를 줄일 수와 혼동 하셨나?