디자인"고주파

[559 nanon]

안녕 모두,

난 H 조 고안했습니다 - bridg (회로도 참조).H - 브리지에서 근무하는 의미입니다 :

1.배당금 Hz에서 fucntion 발전기 (원본; 낮은 0과 높은 5)
2.15A는 - 18A
3.6 옴 저항 시리즈 (인덕터) 부하 운전
4.vcc = 12V
5.에 C1 = C2를 = 0.47 University of Florida의; C3에 = C4가 = 2.2 University of Florida의.
6.MOSFET 드라이버 IR2104입니다

몇 가지 문제가 난 정말 이해가 필요하므로이있습니다 :

1.하나 MOSFET의입니다 MOSFET 드라이버 'IC는 또한 침착하게 버렸으 (그리고 그들은 깨지지) 말

2.제가 연구실에서 ()에서 두 개의 전원 공급 장치를 사용.하나의 전원 및 모든 IC에 Vcc에 대한 다른 하나입니다.내가 (15V에서)에 전원을 truned 및 12V되었다 Vcc, Vcc 27V 전원 공급 장치에 내가 노브를 먹지 않고 넘어갈 수있습니다.(그들 개까지 추가할 것 같다; 12 15) 어?

정말 아이디어를 공유하고 당신과 함께했으면.

고맙습니다

 

[Guest]

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[darla1]

물론 모든 근거가 적절히, 난 회로도에서 관찰해야 connectd 만들어 거기에 고립, 그래서 제대로 gorunds connet 필요가있습니다.

 

[559 nanon]

당신이 달라 1 답장을 보내주셔서 감사합니다.문제는 (단락)와 연결되는 방열판했다 빼앗고 심지어는 두 가지의 MOSFET

당신을 다시 감사드립니다