TSMC의 0.09u의 과정에 대해서

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arsenal

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내가 0.13um 및 0.09um에서 밴드갭을 설계, 시뮬레이션은 잘 0.13um 작품을 보여줍니다 및 출력의 변화는 -50에서 1.6v 이하 150 C 및 3.6V 전원 공급 장치 온도 소탕 각각 동안 단 이하 5mv입니다 0.09u에 하나 정도는 나도 3.6V 전원 공급 장치의 온도 계수를 보상 worse.When과 -50에서 150C로 휩쓸 미만 3mv의 오류를 얻을 것 이것이 temerature 범위에서 약 15mv의 훨씬 더 큰 변이 오류를 보여줍니다 1.6v 전원 공급 장치 및 3.6V에서 약간 긍정적 보상 온도 계수에 1.6v에서 negtive된다. 사람이 다른 VDD에서이 오류를 최소화하기 위해 무엇을해야할지 알 수 있습니까? 90nm 설계에 트릭이 있습니까? 감사합니다 [크기 = 2] [COLOR = # 999999] 1시간 34분 후 추가 : [/ 색상] [/ 크기] 문제 해결. 그럼 90nm 디자인의 주요 관심사가 무엇인지 알고 싶어요?
 
당신이 문제를 어떻게 해결해야 알 수 있습니까? 무슨 문제가됩니까?
 
그것은 psrr로 인해하지 않습니다, 그리고 PNP의 특성을 resimualte 및 현재 이미터 증가
 
[인용 = 아스날] 나는 0.13um 0.09um과에서 밴드갭을 설계, 시뮬레이션은 잘 0.13um 작품을 보여줍니다 및 출력의 변화는보다 5mv 동안 1.6v와 3.6V 이하 -50에서 150 C로 온도 소탕 전원 공급 장치 각각 그러나 0.09u에 하나 정도는 나도 3.6V 전원 공급 장치의 온도 계수를 보상 worse.When과 -50에서 150C로 휩쓸 미만 3mv의 오류를 얻을 것 그것은 약 훨씬 더 큰 변이 오류를 보여줍니다 1.6v 전원 공급 장치에서이 temerature 범위 및 3.6V에서 약간 긍정적 보상 온도 계수에 15mv는 1.6v에서 negtive된다. 사람이 다른 VDD에서이 오류를 최소화하기 위해 무엇을해야할지 알 수 있습니까? 90nm 설계에 트릭이 있습니까? 감사합니다 [크기 = 2] [COLOR = # 999999] 1시간 34분 후 추가 : [/ 색상] [/ 크기] 문제 해결. 그럼 난 90nm 디자인의 주요 관심사가 무엇인지 알고 싶어요? [/ 인용] 즐거운 요 문제가 해결 알아. 그러나, 나는 질문이 하나 있습니다. 왜 90nm 프로세스에 VDD로 1.6V 또는 3.6V를 사용합니까? 나는 침 이미 90nm의 항복 전압을 맞춰보세요. 감사합니다 스코티
 

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