SMPS는 FET를 부스트 스위칭

E

eem2am

Guest
안녕하세요

내가 뭘 392KHz 부스트 컨버터 될은 MOSFET 스위칭 손실을 계산하는 데 필요합니다.

빈 =시 9V
Vout ~ 31V
Iout = 1.3A

(그것은 LED 드라이버)

여기 개략도이다 ...
... ... ... ... ... ... ..<img src="http://i29.tinypic.com/2a8j9c9.jpg" border="0" alt=""/>http://i29.tinypic.com/2a8j9c9.jpg

the FET를 상기 FDS5690입니다

또한 FET는이 설계도를하지만 IRLR3110 FET를 사용하기위한 스위칭 손실을 계산 할 수있게해야합니다.

링크 데이터 시트 FET를 위해 :

FDS5690 N MOSFET을
http://www.fairchildsemi.com/ds/FD/FDS5690.pdf

IRLR3110 N MOSFET을
http://www.irf.com/product-info/datasheets/data/irlr3110zpbf.pdf

구글은이 주제에
대한 많은 기사를 모두 다른 빛을 던져주고있다
- 통일된 이론이 없다.

모든 아이디어는 데이터 매개 변수를 크게 인정이 가장 뜻.
하지만 다른 소스에서 가장 많은 LTC1871 데이터 시트 CRSS 상태 COSS 의의가 나왔다.

FETs의 경우 두 개의 서로 다른 데이터 시트가, 어떻게 하나가 낮은 스위칭 손실 - 드라이브 회로는 각각의 경우에 주어진 그대로였다주는 것이라고 말할 수있는 인사는?--------------------------
그건 그렇고
... 여기 LT는
SPICE 시뮬레이션입니다. 오름차순 파일입니다.이건주는 - FET를 방출하지만 난 정말 얼마나 정확하게 될지도 몰라.

포럼 _130809.asc.html에
대한 http://uploading.com/files/L8KFLUHM/Boost

 
안녕,
총 MOSFET을 상실한다은 다음과 같다 :

1.전도 손실 = Pcond =
1월 6일 * RdsON * (IMOSRMS ^ 2) = 0.39 승
2.게이트 충전 손실 = Pgate = Qg * Vgs * F = 0.013 승
3.스위칭
손실 = Psw = [0.5 * Voff * Imos * (Tr tf)] / T는 = 0.38 승

그래서, 총 손실 = Pcond Pgate Psw = 약.0.8 승

호프, 이건 당신을위한 충분하고있을 것입니다.감사합니다.

 

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