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wizardyhnr
Guest
최근에는 SiGe BiCMOS 프로세스와 3 단계의 LNA를 설계입니다. 나는 LNA의 세 번째 무대 10dBm 이상의 출력 1dB 압축 포인트 싶습니다. 나는 현재의 IC 12mA를 수집 설정, 아직 내가 실력의 그림보다 낮은 8.5dBm의 1dB 압축 포인트를 얻을 수있다. 사람이 LNA의 1dB 압축 포인트를 개선하는 방법에 대한 조언이 있나요?
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