H - 브리지 전력> 스위치 선택에 대해 높은

[stube40]

나는 저항 매우 낮은 인덕턴스의 주위에 50mH 해요과 코일의 electromagenetic 극성을 제어 출력 수있는 다리를 시도하는 디자인 수소.소스 전압 150V 사소한 시에 주위에 40a하고 따라서 설계 및 스위치 선택되지 않습니다.

타이밍 제약 조건이 강하다 할 것들도 - 회로가 높은가는 트리거의 양에게 몇 가지로 전환할 수있는 시간이 필요 할 신호 제어.일단 전환, 회로가 100ms 것입니다 머물에서 동일시 극성에 대한 최소한의 시간의 속도에 따라 액츄에이터 바랍니다.따라서 그것은 주파수의 전환 시간이 훨씬 더에 대한 반응과 지연 실제보다 약.)는 뜻을, 대상 스위치 지연이 일관성이 시간은 예측할 수있는 합리적인 스위치는 정확성 가정 (스위칭 및 따라서 그것은 사전의 가능성에 의해 부정 지연에 자주.

나는 기계적인 릴레이 것으로 간주 모두 고체 릴레이 (MOSFET을 IGBTs과)뿐만 아니라 전기.고체 상태의 물건 수집가와 방사기 할 것 사이의 드롭 전압으로 인해 상당한 전력 손실을.전자 기계 릴레이는 속도가 느린 너무 고통되지 않도록 / 또는 occasionaly 수신 거부하면 구동 하드 (어느 PSU 내 폭파 가능성)

바운스가 늘 정도로 빠르게 전기 솔루션을하는 사람 또는이 어떤 제안을위한 전력 손실, 좋은 낮은 고체 솔루션나요?

 

[Tahmid]

안녕하세요,

당신은 히트싱크와 함께 안전하게 사용할 수 있습니다 IGBTs 및 MOSFET을.더위 큰 그렇게 될 수 없습니다.
말해, 6W면 ~ = 당신은) 0.33 선택 IRFP450 RDS를 가지고 (귀하의 0.33ohm에)의 * 4 열에 최대 4A로드되고 (4 *.

열을 고려 저는 정말 큰 경우가 STW55NM60ND 선택하면 당신은 수있는가에 대한 낮은 열, 당신은 단지 1 주를) = 줄께 ~ 있어요 열 손실 (4 * 0.06 * 4.비록 [이 MOSFET를 아마있을 것이다 51A 잔인한, 사용합니다.]

MOSFET을 선택의 가장 좋은 것이 될 속도로 스위치 그들은 열을 문제는별로 크지.
당신은뿐만 아니라 IGBTs을 수있다 사용하십시오.

희망이있었습니다.
Tahmid.

 

[fvm]

수요 것이 그렇게 정전류 제어 루프를 가지고 당신의 PWM 등이 보인다 설명을 제공 전류 측정 및
컨트롤러.접촉기와 함께, 현재는 코일입니다의 "매우 낮은 저항"에 의해 제한된.아니면 연결됩니다 그것은 확인을 막
고체 상태 스위치 코일에 150V H - 브리지로 공급 및 운영?

50 수소의 인덕턴스와 가정 정전류 제어 (와 150 브이 의미에서 현재의 상승 시간을 40 이상 13 양에게
neglectable의 DC 저항).그건 "미시시피 몇 가지의 이상".

선택 트랜지스터, 실제 전환 코일은 알려진되어야 전류.그것은 40의 취소하지 않으면 그것은 말은 당신의 대답

 

[Guest]

[No message]

 

[stube40]

Tahmid 작성 :

안녕하세요,당신은 안전하게 MOSFET을 히트싱크와 함께 IGBTs를 사용할 수 있습니다.
더위가 잘되지 않습니다.

말해, 당신은 ()에 0.33ohm의 최대 4A로드에서 열 (4 * 4 * 0.33) = ~ 6W됩니다 RDS를 가지고 IRFP450을 선택하면.더위는 정말 큰 고려하는 경우에는 당신이 STW55NM60ND 선택하면 당신은 더 낮은 열위한 가면, 당신은 4 * 4 * 0.06) = 단지 1 주를 ~ 열 손실 (거야.
비록 [이 아마도 과잉, 51A MOSFET를 사용하는 것입니다.]MOSFET을 최고의 선택이 될 것이다 그들은 빠른 스위치로 열 그렇게 큰 문제가되지 않습니다.

당신은뿐만 아니라 IGBTs을 사용할 수 있습니다.희망이있었습니다.

Tahmid.