CMOS 장치에 대한 GM / ID 곡선을 시뮬레이션하는 방법?

시뮬레이션에서 MOSFET 트랜지스터 모델이란을 사용하여, 그것은 내장되어 기본 방정식을 (거의 적절한 모델없이 시뮬레이트하는 방법을 상상하지 않을 수)있다.
 
예, 당신이 첫번째 주문 방정식을 사용하여 기본적으로하면 이상 하나는 GM / ID = 2/Veff입니다. 당신은 시뮬레이션에 현실적인 모델을 사용하는 경우 그러나, 그것은 이상에서 멀리이다. 기본적으로 당신은 Vgs을 수색하고 gmoverId을 계산하는 SPICE를 사용할 수 있습니다. 그렇다면 줄거리 gmoverId VS 다른 Vgs의 가치와 당신은 멀리 가지 경우에서 이상의 것을 볼 수 있습니다. SPICE에 대한 매개 변수는 즉시 사용할 수있는 gmoverId 불리는이 있습니다. 이 SPECTRE를 사용하는 경우, 그것은 당신이 설정해야합니다으로 더 까다로운 것입니다. SCS 파일이 다른. 작전 지점을 포착하기 위해서. 그것이 도움이 되었으면 좋겠. 데이빗.
 
HSPICE에서이 명령을 사용합니다. 프로브 gm_Id은 = 파 ( 'GMO (MN) / I (MN)') BR
 
이 문제에 대해, 나는 질문이있다 : 주어진 ID를, 당신은 다른 Vgs와 VDS 가능한 운영 지점을 많이 가지고 있습니다. 다른 운영 지점의 경우 GM은 지속되지 않습니다.
 
내가 한 종이 및 방법 2 ppts를 게시 오전, 내가 도움이되기를 바랍니다.
 
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