1.8V - 5.5V 1MHz - 20MHz 수정 발진기 설계에 대한 도움말

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hung_wai_ming@hotmail.com

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안녕하세요 저는 크리스탈 전문가의 도움이 필요합니다. 제가 위에서 언급한 크리스탈을 설계하고 있는데 제가 5V 장치를 사용하는 나는 800K 주위의 피드백 저항기 간단한 인버터를 사용하고 난 그냥 2.5V 이하 전압> 2.5V의 주파수 범위에 걸쳐 이득을 가질 수, 내가 찾은 게인은 방울
 
또는 당신은 CMOS 인버터의 instend 단일 transcondutance 장치를하실 수 있습니다
 
나는 현재의 소스 부하와 함께 단일 NMOS GM 단계를 시도하고 NMOS 및 전류 부하의 비율을 사이징하여 다른 전압 바이어스 NMOS를 시도하지만, 결과는 기반 인버터보다 조금 더 나은 보이는 생각, 좋은되지 않았습니다. 또 아이디어?
 
단지 저항을 시도, 분석 데이터없이 gussing>> 800K, 어쩌면 Mohm.
 
안녕하세요 제가 transconductance이 큰 W를 사용해야 같은 낮은 voltage.You에 충분히 큰 아니라 생각하고, 동시에 L. 다시 시도해 큰 사용 끊었어요.
 
[인용 = hung_wai_ming (앳) hotmail.com]하지만 나는 현재의 소스 부하와 함께 단일 NMOS GM 단계를 시도하고 NMOS 및 전류 부하의 비율을 사이징하여 서로 다른 전압 바이어스 NMOS를 시도하지만, 결과가 좋은이 아니라고 기반 인버터보다 조금 더 나은 보인다. 더 이상 아이디어가? [/ 인용] "좋지 않다"의 뜻이 뭐죠? 사용자 분 개방 루프 이득은 지금 뭐하는 거지? 당신이 더 자세히 설명해 주시겠어요? 좀 IMG을 업로드 수 있을까?
 
안녕하세요 butterfish는 U 먼저의 가능한 사용 인버터 회로를 기반으로 생각하십니까?
 
[인용 = hung_wai_ming (앳) hotmail.com] 안녕 butterfish는 U가 가능한 것 같아 인버터 기반의 회로를 사용하여 첫번째 [/ 견적]는 유지할 수있다면 예, 인버터는 보통 먼저 시도해야 |? negtive - 레스 |> RS 때 20MHz @ 1.8V 및 1MHz@5.5v.
 
안녕하세요 Butterfish, 나는 3.3V 양념 모델 교체 및 시뮬레이션 해. 아무것도 변경하지 않습니다. XOSC는 이득> 1 1.8V에서 진동하실 수 있습니다. 나는 작전을 확인하고 VT는 NMOS / PMOS를위한 0.6 - 0.8V에 관한 것으로 나타났습니다. 5V의 경우는, 0.2V에 대한 높은 0.8 - 0.9V이다. 우리가 편견 1.8V VCC를 사용하여 인버터를한다면, 1.8V에 대한 바이어스 포인트는 0.9 근처에 내가 5V 장치를 사용하는 경우 다음과 같습니다 효과적으로 인버터를 설정 수 없습니다. 제가 3.3V 장치를 사용하는 경우 대신,이에 대한 더 여유가 있습니다. 5V 장치를 사용하지만, 아직은 W / L은하지만 시뮬레이션에서, 그렇지 않은 도울 수 증가 것, 내가 그 문제를 일으키는 향신료 모델입니다 의심. 어쨌든, 난 정상적인 상황에, 내가 XOSC도 5V의 장치에서 진동 얻을 수 있어야한다 생각합니다.
 
안녕하세요, W / L 증가, 이론으로, hung_wai_ming하면 1.8V 사례를 만날 수 있지만, 5.5V @ 1MHz, 게인의 경우에는 어쩌면 너무, 조심 해요. 행운을 빕니다!
 
http://www.edaboard.com/ftopic236947.html 나는 말했다시피, GM 두 가지 제한이 있습니다 uplimitation 및 downlimitation. xosc가 진동하고 싶다면, GM은 그들 사이에 있어야합니다. 피드백 저항의 가치를 증가 시키면 이러한 제한의 기간을 증가합니다.
 
안녕 butterfish, 걱정해 주셔서 감사합니다. 확실히 내 시뮬레이션 중에 처리됩니다. 안녕하세요 xusoso은 단지 당신의 시뮬레이션에서 GM을 얻는 방법 알고 싶어요?
 
안녕하세요 제가 다음과 같은 신문에 H ** P을 설명한 방법을 사용하여 GM을 달렸고 : / / www.nxp.com/acrobat_download/applicationnotes/AN97090_1.pdf
 
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