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vwdevotee

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게이트 드라이버 칩을 내가 지금보고 있어요, 그리고 확실하지 않아요 내가이보고에 somethign 잊는거야.난 최소 FET를 10kHz의 스위칭 주파수를 원하는 FET는 내가 찾고
있어요 15V에 대해 1000nC 게이트 담당하고있다.게이트 드라이버는 1A의 전류 15V에서, 그래서 두어야 DBE 혐의 1000ns 또는 1μs를 제공할 수있는 최대의 게이트로 필요합니다.1μs 이후 많이 나는 좋지되어야 촬영 건은 PWM 기간 (100μs)보다 작습니다?내가 여기서 뭔가를 누락?분명히 내가 femtoseconds에있는 충전 시간이 가고 싶지만 마이크로초 작동합니까?감사합니다!

 
안녕,
당신은 적외선 2,113분의 2,110 사용할 수있습니다.

 
좋아, 그럼 2A의 더 나은 선택이 될 수도있습니다.당신은 그것을 어떻게 왔니?만약
내가 당신의 추천과 함께 가고 싶어요 thisout 수있는 유일한 시간을 강구해야 할 것이라고 생각하지만, 그것은 선택의 여지 뒤에 나중에 참조할 수 있도록 엔지니어링 근거 알고 좋을했다.구동되고 n
* F * 질문보다 커야에 나도 한때 게이트 드라이버를 읽을 필요 curerent; 여기서 n은 게이트의 숫자입니다, f는 스위칭 주파수가, 및 Q 게이트는 무료입니다.반면 simplae하고 기억하기 쉬운이 같은 부분적으로만 대부분의 시간을 자신의 ''이 문을 열 수있는 것으로 보인다.내 질문은 궁극적으로 뭔가를 '무엇을위한 FET를하거나 허용 스위칭 IGBT는 분수처럼 귀결 생각하세요?

고마워 친구들!

 

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