프로젝트, 대학 회로 이해 작업을의

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neebee

Guest
포럼에서 볼 수있는 사람은 pls 프로젝트 대학 것입 내위한 아주 심하게 그것은 내가 필요로 도움 회로 나를 이해하는 작업을합니다.pls 수있는 데 도움이 날 경우.pls.pls.
<img src="http://images.elektroda.net/18_1268724892_thumb.jpg" border="0" alt="understand the working of the circuit, college project" title="회로, 대학 프로젝트의 작업을 이해"/>
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따르는 경우 방사체의 당기 당신이 푸쉬 - 무시 드라이버를 D4/D5과 변화 수준을 처음으로 트랜지스터 간단히입니다.나와 다른 연결하는 동안되지 않습니다 회로, D4/D5 등이 DR1 포트를 통해 보이는 것처럼 신호 것입니다 줄일 드라이브를 기반으로합니다.

키이스.

 
나를 위해 도움을 많이 thnx하지만 난 아니에요 그것과 입력의 많은 측면 왼쪽 고급 사용자에 펄스를 V의 4.5 드라이브 할 수있는 이해를 도와 회로를 할 수 밖으로 주어진 일을 whenas 내가 어떻게하면 그것은 제가 말씀 드린 내 다이어그램 대학 VDS 내 준비를 할 수 것이다 내가 그 때 작업과 드라이브가 있습니다 상수 나의 회로는 것입니다이 얼마나 의존에이보다 터미널 현재 그린에서 MOSFET의에 바닥 그렇게 단계로 회로 단계에서이 작업을 이해만을 위해 VDS 싶어 내가 것입 증가 프로젝트 pls.도와 날.<img src="http://images.elektroda.net/23_1269243446_thumb.jpg" border="0" alt="understand the working of the circuit, college project" title="회로, 대학 프로젝트의 작업을 이해"/>
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http://images.elektroda.net/23_1269243446.jpgkeith1200rs 작성 :

당신은 그것은 단순히 수준의 푸쉬 - 방사체의 추종자 당기와 드라이버를 이동하는 최초의 트랜지스터 D4/D5를 무시하십시오.
다른 회로에 연결이 표시되지 않지만, D4/D5 등 그것이 드라이브를 신호의 포트를 통해 DR1 기반으로 줄일 것 같습니다.키이스.
 
거기에 정의된 값은 구성 요소가 아닙니다 회로 DR1과 연결되지 입력, 그래서 일반화 수있는 유일한 사람으로 작품에 어떻게.

오른쪽면에 왼쪽에 질문 질문이 트랜지스터를 라벨 (2.7V 플러스) 드롭 Vbe의 3.4V됩니다 차례 질문, 그렇다면 주위에 위의 때 전압에 미치는 기지 중 하나.정확한 입력 전압이 발생 잠복 저항기의 값을하라에 따라 달라집니다.

이동 12V 전압을 또한 3 분기 동안 그 신호를 반전 그럼.

질문 및 질문은 게이트를 형성 보완 방사체의 추종자 쌍을, MOSFET의의 아마도 운전.

다이오드 및 질문은 DR1납니다 전압에 따라 질문에 드라이브를 기본 설정에서 점차적으로.질문 1 차례있게됩니다 DR1은 높은 전압 드라이브에 저항하는 것입니다 밖으로 기지 짧은 부분을 통해 드라이브를 위해 질문 분배기, 게이트함으로써 감소.

키이스.

 
다시 thnx pls을 돕는 날 위해.pls 찾아 세부 설계도가있는 모든.pls.also하자 나를 알고 어떻게 무대를 작동 회로에 의해 무대 dr1 수 있도록 내가 알고있는 최고 적용 가능한 방법을 레벨 스위치를 끌 때 전압 질문.
미안하지만, 당신은 첨부 파일이 필요합니다 보려면 로그인을에

 
제가 수술을 이미 일반적인 설명.당신은 지식을 기본 전자 저항기 값을 사용하여 밖으로 수 작업부터 다양한 전압을.DR1 그냥 MOSFET을 전압의 드레인 모니터.때 드레인 전압이 질문 가져오고 낮게 설정됩니다 차례로 충분한 것인가 D5 끌어 내려.그렇지 않으면이 질문 R13, D4, R42로 설정되어있을 것이다에 의해.

내가 달성하도록 설계하는 일을 모르고있다 회로는 무엇 - 그것은 방울 전압 소스 - 드레인 특정 나타나있을 노력해야하지만, 이유는 모르겠어요.하나 또는 그, 그것은 효과를 자르고 만들어가있을 디자인된 "따라서 불안"와.

키이스.

 

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