May 24, 2002 #1 N neoflash Guest 평면 바이폴라 트랜지스터의 β 현대의 CMOS 기술의 큰 두통이다. 원칙적으로 이론에 따르면, β 기본 영역의 너비 기능입니다.어떤 종이인가요 / 책을 보고서 레이아웃 최적화 β 극대화하기위한 어떠한 트릭도?
평면 바이폴라 트랜지스터의 β 현대의 CMOS 기술의 큰 두통이다. 원칙적으로 이론에 따르면, β 기본 영역의 너비 기능입니다.어떤 종이인가요 / 책을 보고서 레이아웃 최적화 β 극대화하기위한 어떠한 트릭도?
May 24, 2002 #3 E erikl Guest 에서는 표준.그냥 수직 PNP는 트랜지스터를 사용할 수의 CMOS 기술 및 자료의 너비가 n의 차이점을 잘 깊이 및 S / D 조 P는 임플란트 접합 깊이, 즉 프로세스에만 의존하고, 설계에 의해 manipulable되지 않습니다. 전용 아날로그의 CMOS 기술은 또한 측면 BJTs,하지만 여기에 디자인 규칙에 의해 제한되며, 높은 수있게,하지만 여전히 제한적인 베타 기본 너비를하실 수있습니다. 더 나은 수행하려면, 당신은 자신의 CMOS 기술이 필요할 것.하거나, 허가를 지능적으로 설계 규칙을 우회 최소한 <img src="http://www.edaboard.com/images/smiles/icon_wink.gif" alt="윙크" border="0" />
에서는 표준.그냥 수직 PNP는 트랜지스터를 사용할 수의 CMOS 기술 및 자료의 너비가 n의 차이점을 잘 깊이 및 S / D 조 P는 임플란트 접합 깊이, 즉 프로세스에만 의존하고, 설계에 의해 manipulable되지 않습니다. 전용 아날로그의 CMOS 기술은 또한 측면 BJTs,하지만 여기에 디자인 규칙에 의해 제한되며, 높은 수있게,하지만 여전히 제한적인 베타 기본 너비를하실 수있습니다. 더 나은 수행하려면, 당신은 자신의 CMOS 기술이 필요할 것.하거나, 허가를 지능적으로 설계 규칙을 우회 최소한 <img src="http://www.edaboard.com/images/smiles/icon_wink.gif" alt="윙크" border="0" />
