질문"입력

[amriths04]

친애하는 친구,
순서로 선형 영역에서 앰프로, 필요 우리가 피크에 대한 피크 20mV의 입력 신호 스윙을 제한할 필요가 일반적인 방사체 운영?
왜?

미리 감사합니다

 

[tyassin]

안녕

기본적으로 트랜지스터의 비선형 장치의 경우, 자사의 IC는 - Vbe 특성이 볼 수있습니다.

만약 우리가 작은 신호 증폭기 얘기있다면 그것은 작은 전압을 가질 필요가있습니다.그렇지 않은 경우 앰프는 선형 영역에서되지 않습니다.당신이 만약 신호가 작은 슈퍼 영웅이 작은 사인 - IC에서 손을 흔드는 - Vbe chracteristic 0.7 베로니카의 편견이 주위를 부과함으로써, 커브를 거의 직선 모양이 볼 수있습니다.만약 당신이 큰 전압을 사용하여 곡선을 스윙 비선형됩니다.

저기 쾅치다 지배의 신호 전압별로 온도 전압 버몬트보다 작은 것 종류 :

차량 등록 번호 ""버몬트

희망이 도움이

 

[dipal_z]

amriths04 썼습니다 :

친애하는 친구,

순서로 선형 영역에서 앰프로, 필요 우리가 피크에 대한 피크 20mV의 입력 신호 스윙을 제한할 필요가 일반적인 방사체 운영?

 

[amriths04]

모두 구할 수 그래, 나도.하지만 내 기본적인 의문을 두 번 단계의 경우 또는 트리플 앰프 스테이지입니다.

무대를 두 번 생각 ...
초기 입력 신호의 진폭 = 4MV (물론 선형 영역 내에서) 편견을 가정합니다.(이득) = 20V의 / 대 질문하자따라서 2 트랜지스터 질문에 입력 80 mV 될 것입니다.그럼 거기가 아닌 - 80mV 선형 신호의 증폭을 2 분기에있을 것입니다 무슨 뜻 이죠?

그리고 그렇게되면, 그때 우리가 20mV 이상의 확장을위한 트랜지스터를 사용하지 않을 수 있습니까?

혼란 스러워요.

감사합니다,

tyassin 썼습니다 :

안녕기본적으로 트랜지스터의 비선형 장치의 경우, 자사의 IC는 - Vbe 특성이 볼 수있습니다.만약 우리가 작은 신호 증폭기 얘기있다면 그것은 작은 전압을 가질 필요가있습니다.
그렇지 않은 경우 앰프는 선형 영역에서되지 않습니다.
당신이 만약 신호가 작은 슈퍼 영웅이 작은 사인 - IC에서 손을 흔드는 - Vbe chracteristic 0.7 베로니카의 편견이 주위를 부과함으로써, 커브를 거의 직선 모양이 볼 수있습니다.
만약 당신이 큰 전압을 사용하여 곡선을 스윙 비선형됩니다.저기 쾅치다 지배의 신호 전압별로 온도 전압 버몬트보다 작은 것 종류 :차량 등록 번호 ""버몬트희망이 도움이

 

[Guest]

[No message]

 

[tyassin]

안녕

하면 작은 신호 이득을 계산하도록 종종 흥미로운 시작 얻을 것으로 보인다.하지만 앰프의 역학 / 회로를 고려했다."dipal_z"로서 당신이뿐만 아니라 편견을 고려할 필요가 썼습니다.만약 당신이 foreksample commen 앰프를 방출했다.이 방사기에 결합 저항 이상 수집기에 결합 저항의 비율로 표현 될 수있는 이득.그럼 당신이 단지의 이득에게 저항을 선택할 수있습니다 생각할 수도 1000 또는 무언가.그러나 만약 당신이 그때 그때 당신 것입니다 당신 때문에 제대로 exsperience 클리핑면 1000로 증폭되지 않습니다 나타납니다 작은 신호가 적용됩니다.

하지만 기본적으로 회로에있는 모든 지점을 추적하고 채도 또는 클리핑을 피하기 위해 필요한 신호 스윙을 제공할 수 있는지 확인하십시오.그래서 만약 당신이 또한 신호 스윙을 위해 충분하지 romm로 인해 클리핑과 같은 문제가 발생 할 수있을 exsperience 비선형 효과를 80mV있다.