질문"어떤

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이미 모든 기술 트랜지스터보다 더 나은 가요?

감사합니다

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실례하지만 내 그러므로 내가 부적 절한 테마에 질문 질문에 대한 답변을 받아야합니다.
난 당신의 트랜지스터에 대한 전체 정보를 좀 도와달라고
내가 그걸 어디서 찾을 수 있습니까?지금은 고주파 트랜지스터에 대한 완전한 정보를 필요로 특정했다.

 
ropil 썼습니다 :

실례하지만 내 그러므로 내가 부적 절한 테마에 질문 질문에 대한 답변을 받아야합니다.

난 당신의 트랜지스터에 대한 전체 정보를 좀 도와달라고

내가 그걸 어디서 찾을 수 있습니까?
지금은 고주파 트랜지스터에 대한 완전한 정보를 필요로 특정했다.
 
안녕!

질문을하기 때문에 무엇을 의미합니까 "좋은 기술"친척입니까?
우리는 트랜지스터 (FET를) 오래된 진공 튜브 크기 때문에 거의 모든 전자 기기 (전자 밸브) 교체, 전력 consumptiom, 가격, 등하지만 그것은 사실이 아니라고 예를 들어, 계속 사용하려면 어떤 큰 힘을 라디오 송신기 바이폴라 말하곤 밸브.또한 기타 앰프에 대한 선호하는 밸브입니다.또 다른 예를 들면, 나는 지하철 회사 및 제어의 많은 일한 / 명령 회로 트랜지스터 대신에 큰 전기 릴레이 스위치로 구성되어있습니다.
귀하의 질문에 응용 프로그램 영역, "좋은 기술"그것에 따라 달라집니다 완료되어야합니다.

 
rkodaira 썼습니다 :

안녕!질문을하기 때문에 무엇을 의미합니까 "좋은 기술"친척입니까?

우리는 트랜지스터 (FET를) 오래된 진공 튜브 크기 때문에 거의 모든 전자 기기 (전자 밸브) 교체, 전력 consumptiom, 가격, 등하지만 그것은 사실이 아니라고 예를 들어, 계속 사용하려면 어떤 큰 힘을 라디오 송신기 바이폴라 말하곤 밸브.
또한 기타 앰프에 대한 선호하는 밸브입니다.
또 다른 예를 들면, 나는 지하철 회사 및 제어의 많은 일한 / 명령 회로 트랜지스터 대신에 큰 전기 릴레이 스위치로 구성되어있습니다.

귀하의 질문에 응용 프로그램 영역, "좋은 기술"그것에 따라 달라집니다 완료되어야합니다.
 
어떤 오디오 신호를 분석하는 컴퓨터의 프로세서
뭔가 wonderfull하지만이 소리를 합성입니다.
Maby 초전도 기술 또는 nanotehnology 더 나은거야?
(농담 - reversibile : 변압기 기술)올린날짜 5 분 후 :누가 당신을 잘 모릅니다 큰 전력을 라디오 transmitters.If에서 예를 들어, vacum 튜브 beter 있는지 말해 그렇고, 새로운 전력 기술은 더 나은 sip.mos 그럼
전원 라디오 송신기에 대한 vacum 튜브.

 
안녕,

내가 정보를 아주 유용하고 나는 여러분 모두와 함께 공유하고자하는 어떤 발견이 작품을 통해 가고있다.읽기에 대한 ...-------------------------------------------------- --------

미국 : 모든 세대 실리콘 수십 가득 기반 전자, 누구의 주요 구성 요소는 일반적으로 실리콘 기반의 트랜지스터이다.하지만 지금은, Rensselaer 공예 연구소의 학생뿐만 아니라 에너지 소비를 잘라되지 않습니다 극한 조건에서 작동 트랜지스터의 새로운 세대와 함께이 기술을 대체할 수있는 발명품들.

황 Weixiao 그 화합물 소재와 놀라운 물질 특성이 실리콘 칩에 더 나은 대안으로서 역할을 수있습니다 질화 갈륨 (GaN를)로 알려진 새로운 트랜지스터를 사용하여 개발함으로써 돌파구를 제출했다.

새로운 GaN를 트랜지스터뿐만 아니라 전력 소비를 줄일 않을 또한, 모터 드라이브 및 하이브리드 차량의 집을 어플 라 이언스 및 방어 장비에 이르기까지 전력 전자 시스템의 효율성이 향상됩니다.

"실리콘 지난 2 년간 반도체 산업에 주력하고있다.하지만 전력 전자 좀 더 정교하고 높은 성능의 트랜지스터, 엔지니어, 갈륨 질화물과 같은 대안을 찾고있다 - 실리콘보다 더 수행할 수 있으며 극한 조건에서 트랜지스터를 기반으로합니다 "황했다.실리콘 기반의 트랜지스터, 또한, 실리콘으로 알려진 금속 / 산화물 반도체 필드 - 효과 트랜지스터 (실리콘 MOSFET의) 스위치를 다른 형태의 전기 에너지로 변환하는 역할을, 허용이 필요하거나 전자 장치를 통해 전류의 흐름 불가 .

황가 (금속 / 산화물 / GaN를) 인터페이스, 그것에도 불구하고 뛰어난 GaN를 보여줍니다 MOS 새로운 프로세스를 개발하는 최초의 사람이다 오래 GaN를 다른 재료 갈륨, 아주 좋은 전기적 특성을 기반으로 알려졌다, 실리콘보다 훨씬 나아.

황에 따르면, 자기 혁신, 최초의 GaN를 MOSFET의 세계에서 일종의, 기록 성능은 이미 세계적으로 표시하고있다.또한, 자신의 혁신은 그것이 하나의 칩에처럼 결코 전에 몇 가지 중요한 기능을 통합할 수있는 전자적 표시되었습니다."이것은 크게 전체를 전자 시스템을 단순화한다"후앙했다.황 또한 실험적으로 설계하고 여러 가지 새로운 소설 보여주 높은 전압 MOS - 실리콘 MOSFET의 낮은 전력 소모 측면에서, 작은 칩 크기에 비해 뛰어난 성능을 보여주 문이 FET를, 그리고 높은 전력 밀도.사실, 새로운 트랜지스터가 극적으로 에너지 손실을 줄일 수있습니다.

"이러한 새로운 GaN를 트랜지스터의 전력 전자 시스템에 많은 기존의 실리콘 MOSFET을 대체, 이미 화석 연료 소비와 오염 물질의 글로벌 감소 될 것"황했다.

 
와우 !!!!!!!!!!!!!!!
슈퍼 explaination devura.
하지만 난 heare 뭔가 다른 새로운은 SiGe
GaN를 Silicium 또는 게르마늄의 기술이 될 더 나은 다음
maby 내가 틀렸다.
그러나 더 위너 것입니다.

 
안녕하세요 친구,
거기 아냐.트랜지스터보다 techonologies있습니다.하지만 내가 무엇을 출범 의미인지 질문하지 말아.

만약 당신이 회로가 큰 것입니다 트랜지스터를 사용합니다.그럼, 저기 Integeration의 기술을 진화.
* SSI
* MSI는
* LSI는
* VLSI는
* ULSI
* GSI
이러한 통합의 제조 기술에 대해 연구하는 경우.그럼 ECL, 비교기, 기술을 더 발전하고 효율적입니다.

안부,
Avinash.S.

 
당신이 흥미를 찾을 수있습니다 :

HP 연구소 전자 회로를위한 새로운 기본 요소의 존재 증명

Memristor

http://www.hp.com/hpinfo/newsroom/press/2008/080430a.html

 

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