L
leohart
Guest
어떤 사람이 튜토리얼 설계 보고서 ()에서이 같은 Netlist를 사용합니다 :
M0 n1 vb3 Vdd Vdd pch 승 = 50u 패 = 0.6u
또는
M1은 D1 vinpos vtail 0 NMOS 승 = '승리 패 = 린 지리적 = 3
이 문장을 정확하게 모든 MOSFET을 내부 기생 뚜껑을 포함시킬 수있습니다?특히 첫 번째는, 아무런 정보도 제공하기 때문에 MOSFET을 layouted 방법입니다
버클리 ee140에, 그것은 단지 W 및 패
너, 우리처럼있는
그대로, 추신, 서기, 경찰, inculde한다
: 아주 빠른 MOSFET을 줄 것이라고 말했다입니다
M1은 1 2 3 4 NMOS 패 = 2U의 승 = 2U의
그대로 = 청탁 서기 = 청탁 추신 = 6U 시경 = 6U
그런데 왜 대부분의 사람이없이 그냥 Netlist 작성? 이번에 경험을 가진 친구들, pls 나에게 대답을, 어떻게 사용하고 계십니까?
opamp 레이아웃하기 전에 이러한 매개 변수가 나올거 performace 여부 시뮬레이션 critial 하는거야?
아니면 우리가 레이아웃 후 정밀 이걸 해달라고 할 추출, 그때 우리가 정확한 주파수 응답에 대한 게시물 레이아웃을 시뮬레이션 할 수 싶어요?
M0 n1 vb3 Vdd Vdd pch 승 = 50u 패 = 0.6u
또는
M1은 D1 vinpos vtail 0 NMOS 승 = '승리 패 = 린 지리적 = 3
이 문장을 정확하게 모든 MOSFET을 내부 기생 뚜껑을 포함시킬 수있습니다?특히 첫 번째는, 아무런 정보도 제공하기 때문에 MOSFET을 layouted 방법입니다
버클리 ee140에, 그것은 단지 W 및 패
너, 우리처럼있는
그대로, 추신, 서기, 경찰, inculde한다
: 아주 빠른 MOSFET을 줄 것이라고 말했다입니다
M1은 1 2 3 4 NMOS 패 = 2U의 승 = 2U의
그대로 = 청탁 서기 = 청탁 추신 = 6U 시경 = 6U
그런데 왜 대부분의 사람이없이 그냥 Netlist 작성? 이번에 경험을 가진 친구들, pls 나에게 대답을, 어떻게 사용하고 계십니까?
opamp 레이아웃하기 전에 이러한 매개 변수가 나올거 performace 여부 시뮬레이션 critial 하는거야?
아니면 우리가 레이아웃 후 정밀 이걸 해달라고 할 추출, 그때 우리가 정확한 주파수 응답에 대한 게시물 레이아웃을 시뮬레이션 할 수 싶어요?