S
surianova
Guest
안녕
사람들은 왜 항상
3월 3일 vpower 공급하지은 3V?그 어떤 이유가 있나요?그냥 알고 싶소.
Suria
사람들은 왜 항상
3월 3일 vpower 공급하지은 3V?그 어떤 이유가 있나요?그냥 알고 싶소.
Suria
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Guest
surianova 썼습니다 :
안녕사람들은 왜 항상 3월 3일 vpower 공급하지은 3V?
그 어떤 이유가 있나요?
그냥 알고 싶소.Suria
안녕사람들은 왜 항상 3월 3일 vpower 공급하지은 3V?
그 어떤 이유가 있나요?
그냥 알고 싶소.Suria
N
nxing
Guest
사실, 거기 pratical suply은 3V 전원 회로가 많이 사용하고있습니다.3월 3일 브이를위한 이유는,
내가 생각하는 그 특정 프로세스에 있기 때문에, 게이트는 전압이
그 가치에있을 수있습니다.0.18u 기술의 경우, 일반적으로
사용하는 경우, 전원 suply은 1.8V이다.
내가 생각하는 그 특정 프로세스에 있기 때문에, 게이트는 전압이
그 가치에있을 수있습니다.0.18u 기술의 경우, 일반적으로
사용하는 경우, 전원 suply은 1.8V이다.
H
hrkhari
Guest
이 과정은 공칭 3.3V의 작동 장치에 대한 최대의 제공,하지만 당신은 감소하고 덜 쌓아 트랜지스터 출력 전압 스윙의 거래와 적은 전력 공급 전압을 가진 회로를 설계했다.희망이 도움이
Rgds
Rgds
Q
qutang
Guest
난 그 옛날 IC는 3.3V의 노력을 줄일 수있습니다 voltage.it the power.Now, 기술, 첨단 공급 내려 갈 수있다라고 생각합니다.
C
Colbhaidh
Guest
팹 때 비늘 아래 차세대 기술에 대한,
모스 트랜지스터의 게이트 산화물 두께도 줄일 수 있어야합니다.큰 도약을 0.5um에서 0.35um 기술했다.이건 정말 처음으로, 아래의 경우 10nm 게이트 산화물 감소했다.10nm에서, 게이트 산화물 5Volts, 그래서 이일을 쉽게 사용할 수있습니다 8Volts을 붙들어 둘 수있다.모두가 만든 전력
보장에만 공급 / -10 %, 이후 5.5Volts MOS 의미에서 신뢰할 수 있어야합니다.두 가지 문제 : 하나는 10nm 산화물 위에 8V의 터널을 때 그것을 통해 전자가 시작 되니까.그들이 어떻게 EEPROM 및 플래시에 사용하실 수있습니다.하지만이보다 더 뜨거운 전자 채널과 대량 투입시의 높은 드레인 전압.이것은 게이트 사건 ioxide 터널 ()와는 달리 unreversible 피해로 themselevs 이식 수있습니다.그래서 10nm 산화물도 드레인 전압으로부터 5.5V의에서 뜨거운 전자를 견딜 수 있도록했다.
확인을 그래서 우리가 원하는 0.35um로 축소했다.만약 당신이 수직으로 잘 모르겠 옆으로 정신과 가치 불행히도 위축되지 않습니다.다음 최고의 산화 7nm 주위했다.터널 주변이 시작에서 5.5V에서 하수구에 견딜 수없는 뜨거운 전자 7 볼트하고있다.그래서 팹 산업했다 :
"우리는
5V의 아래에"큰 치즈 미소 외엔 아무것도 완전한 준수 기대와 전원 공급 장치 낮은 싶어요.
보드 업계의 PC 마더보드 (특정)에 밝혔다 :
"가능성이 갇혀 - 당신은 꿈속에서!"
그래서 공장이 업계에서 매우 화가 났었 떠났고와 주변 설계.두 개의 게이트 두께, 1 이들에게 정말 필요한 사람이라는 인터페이스를 하나의 보드에서 5.5V에서 애들이 그냥.는 3.6V 정도로 고속 드라이브 성능과 뜨거운 전자 좋은 면역성을 제공하는 최대로 선정했다.전원 공급이 1919 년 이후 18 세기에 유지 /
라이브 - 10 %는 3.3V 그래서 센터에서 3.6V로 3.0V로 선정했다.
그러던 어느날, 충분한 근육와 팹 보드들에게 가서 말했다 :
"당신은 3.3V의 이동 또는 언제든지 pentiums받을 dont"
이사회는 다음 말했다들
"이게 우리는"AMD는 갈거야
고 말했다는 팹들하려면
"오직 농담! 당신은 5V의 머물 수있다"
그러던 어느날,
근육과 다른 사람이 말했다 팹
"는 3.3V 또는 내동 Athlons!"
보드들 위해서는 말했다
"아차!"
그때는 보드는 3.3V로 갔다.이 공장들 기분이 정말 스스로 만족 "하자 0.18um하고 성가시게 보드들의 지옥을 축소했다!"
0.18um에서 게이트 산화물에 대한 3.5nm까지 인하했다.이 산화물은 2.5V에 대해서만 전자에 대한 뜨거운 하수구에 설 수있습니다.그래서 공장들이 3에 대한 문턱 전압 2.0V 최대 - 4 배속에 갔었습니다./ -10 %
하드 붙어,이
1.8V로 공칭 1.6V로 2.0V 그래서 의미가있다.
그리고 그들은 모두들 다시 성가신 이사회를 시작했다.
이 보드는 3.3V 대해 명목상 있지만 여전히 일부 칩이 여전히있다 5V의
모스 트랜지스터의 게이트 산화물 두께도 줄일 수 있어야합니다.큰 도약을 0.5um에서 0.35um 기술했다.이건 정말 처음으로, 아래의 경우 10nm 게이트 산화물 감소했다.10nm에서, 게이트 산화물 5Volts, 그래서 이일을 쉽게 사용할 수있습니다 8Volts을 붙들어 둘 수있다.모두가 만든 전력
보장에만 공급 / -10 %, 이후 5.5Volts MOS 의미에서 신뢰할 수 있어야합니다.두 가지 문제 : 하나는 10nm 산화물 위에 8V의 터널을 때 그것을 통해 전자가 시작 되니까.그들이 어떻게 EEPROM 및 플래시에 사용하실 수있습니다.하지만이보다 더 뜨거운 전자 채널과 대량 투입시의 높은 드레인 전압.이것은 게이트 사건 ioxide 터널 ()와는 달리 unreversible 피해로 themselevs 이식 수있습니다.그래서 10nm 산화물도 드레인 전압으로부터 5.5V의에서 뜨거운 전자를 견딜 수 있도록했다.
확인을 그래서 우리가 원하는 0.35um로 축소했다.만약 당신이 수직으로 잘 모르겠 옆으로 정신과 가치 불행히도 위축되지 않습니다.다음 최고의 산화 7nm 주위했다.터널 주변이 시작에서 5.5V에서 하수구에 견딜 수없는 뜨거운 전자 7 볼트하고있다.그래서 팹 산업했다 :
"우리는
5V의 아래에"큰 치즈 미소 외엔 아무것도 완전한 준수 기대와 전원 공급 장치 낮은 싶어요.
보드 업계의 PC 마더보드 (특정)에 밝혔다 :
"가능성이 갇혀 - 당신은 꿈속에서!"
그래서 공장이 업계에서 매우 화가 났었 떠났고와 주변 설계.두 개의 게이트 두께, 1 이들에게 정말 필요한 사람이라는 인터페이스를 하나의 보드에서 5.5V에서 애들이 그냥.는 3.6V 정도로 고속 드라이브 성능과 뜨거운 전자 좋은 면역성을 제공하는 최대로 선정했다.전원 공급이 1919 년 이후 18 세기에 유지 /
라이브 - 10 %는 3.3V 그래서 센터에서 3.6V로 3.0V로 선정했다.
그러던 어느날, 충분한 근육와 팹 보드들에게 가서 말했다 :
"당신은 3.3V의 이동 또는 언제든지 pentiums받을 dont"
이사회는 다음 말했다들
"이게 우리는"AMD는 갈거야
고 말했다는 팹들하려면
"오직 농담! 당신은 5V의 머물 수있다"
그러던 어느날,
근육과 다른 사람이 말했다 팹
"는 3.3V 또는 내동 Athlons!"
보드들 위해서는 말했다
"아차!"
그때는 보드는 3.3V로 갔다.이 공장들 기분이 정말 스스로 만족 "하자 0.18um하고 성가시게 보드들의 지옥을 축소했다!"
0.18um에서 게이트 산화물에 대한 3.5nm까지 인하했다.이 산화물은 2.5V에 대해서만 전자에 대한 뜨거운 하수구에 설 수있습니다.그래서 공장들이 3에 대한 문턱 전압 2.0V 최대 - 4 배속에 갔었습니다./ -10 %
하드 붙어,이
1.8V로 공칭 1.6V로 2.0V 그래서 의미가있다.
그리고 그들은 모두들 다시 성가신 이사회를 시작했다.
이 보드는 3.3V 대해 명목상 있지만 여전히 일부 칩이 여전히있다 5V의