왜 아 - 잘 처리하지만 피 - 잘 Prcoess????

[scottieman]

안녕 모두, 갑자기 CMOS 기술에 내 마음에 질문이 있습니다. 모두 NMOS 및 PMOS를 위해, 우리는 NMOS에 대한 피 - 기판과 동일한 실리콘에 PMOS에 대한 아 ~ 기판이 필요합니다. 그게 우리가 웨이퍼 아 잘 피 - 하위에있어 이유입니다. 그러나, 왜 우리가 반대로 해. 피 - 음과 함께 사용 안내 n - 서브 비교기의 목표를 달성하기. 누구든지 배후 내게 이유를 알 수 있습니까? 감사합니다 많은 스코티

 

[pratyusha]

수있는 이유 중 하나는, 디자인에 우리는 여러 긍정적인 전압과 공통 접지를 사용합니다. 그래서 전체 psub는 gnd에 연결되어 있고 n이 - 잘 격리 될 수 있으며, 여러 공급에 연결되어 있습니다. 하지만 우리는 nsub 맡게된다면 어떻게 우리가 여러 공급 장치에 연결할 수 있습니다. 그럼 우리가 잘 비용이 많이 드는 과정이다 프로세스를 트윈 사용해야합니다. 그래서 이것이 그 이유 중 하나가 될 수 있습니다. 나는 가장 큰 이유를 알고 기뻐요.

 

[Fom]

일부 장치는 아 하위로 제조됩니다. 예를 들어 비용은 부정적인 고압 펌프 일부의 LCD 컨트롤러하십시오.

 

[pbs681]

[인용 = scottieman이] 갑자기 CMOS 기술에 내 마음에 질문이 있는데, 모두 안녕. 모두 NMOS 및 PMOS를 위해, 우리는 NMOS에 대한 피 - 기판과 동일한 실리콘에 PMOS에 대한 아 ~ 기판이 필요합니다. 그게 우리가 웨이퍼 아 잘 피 - 하위에있어 이유입니다. 그러나, 왜 우리가 반대로 해. 피 - 음과 함께 사용 안내 n - 서브 비교기의 목표를 달성하기. 누구든지 배후 내게 이유를 알 수 있습니까? 감사합니다 스코티 [/ 인용] 우리는 우리가 nmos과 pmos 사이의 옵션을 가지고있다면 우리의 디자인에 nmos를 사용하려고합니다. 왜? 그 이유 중 하나가 nmos에 대한 운송인의 mobilty가 pmos보다 높다,는 것입니다. 그래서, smalll 승 / 패 nmos의와 우리가 pmos가 줄 수있는 걸 얻을 수 있습니다. 그건 제품에 대한 비용 절감을 의미 IC에서에서 nmos에 대한 작은 부동산을 의미합니다. 즉 더 nmos 성능의 기간에 몇 가지 이유가 있습니다. 사실, 우리는 비교기 기술, 회로는 nmos에 의해되었다 전에. 그래서, 내가 P - 서브 대신 아 ~ 하위를 사용하는 어떠한 좋은 이유를 참조하지 않습니다.

 

[scottieman]

[견적 = pbs681] 안녕하세요 모든 [= scottieman는 견적] 갑자기 CMOS 기술에 내 마음에 질문이 있습니다. 모두 NMOS 및 PMOS를 위해, 우리는 NMOS에 대한 피 - 기판과 동일한 실리콘에 PMOS에 대한 아 ~ 기판이 필요합니다. 그게 우리가 웨이퍼 아 잘 피 - 하위에있어 이유입니다. 그러나, 왜 우리가 반대로 해. 피 - 음과 함께 사용 안내 n - 서브 비교기의 목표를 달성하기. 누구든지 배후 내게 이유를 알 수 있습니까? 감사합니다 스코티 [/ 인용] 우리는 우리가 nmos과 pmos 사이의 옵션을 가지고있다면 우리의 디자인에 nmos를 사용하려고합니다. 왜? 그 이유 중 하나가 nmos에 대한 운송인의 mobilty가 pmos보다 높다,는 것입니다. 그래서, smalll 승 / 패 nmos의와 우리가 pmos가 줄 수있는 걸 얻을 수 있습니다. 그건 제품에 대한 비용 절감을 의미 IC에서에서 nmos에 대한 작은 부동산을 의미합니다. 즉 더 nmos 성능의 기간에 몇 가지 이유가 있습니다. 사실, 우리는 비교기 기술, 회로는 nmos에 의해되었다 전에. 그래서, 난 상 - 하위 대신 피 - 잠수함. [/ 인용] 감사를 사용하는 어떠한 좋은 이유를 참조하지 않습니다. 그래도, 내가 검색 웹에서 알려진대로, 오래된 기술의 많은 아 하위보다는 회사 P - 서브와 함께 있었다. 그래서 나는 사람들이 요즘 - 잠수함을 피로 아 하위에서 변경하려고 왜 물어보고 싶은거야. 내가 생각 resone 또는 기판의 변화에 대한 몇 가지 이유가 있어야합니다. 스코티

 

[derekqiao]

하지만, pratyusha 동의 복합 동작 전압이 핵심 이유입니다.

 

[jcpu]

답변 실리콘 crytal는 furnance 중 하나가 씨앗이 밖으로 뽑아입니다 # 1. 그것은 파라 - 웨이퍼를 사용하는 저렴한 너무 그것은 피 - 타입이야. # 2, 주조 보형물 피이 Nwell과 Pwell 대답. 일부는 단지 Nwell을 그릴 필요가, 그들은 Pwell을 이식하는 리버스 톤의 포토 마스크를 사용합니다. # 3 대답, 많은 사람들이 있지만 더 많은 비용 즉, 고속 로직에 없음 + 웨이퍼를 사용합니다. 및 프로세스가 약간 다를 것입니다. 서둘러, 안녕에!