손실 탄젠트 값을

[limate]

제가 CPW 시뮬레이션에 노력 높은 - 저항 실리콘 (5000 ohm.cm) 기판.기판의 손실이 무엇 접선에 대한 올바른 가치가 될 지 궁금해하고있습니다.만약 거기에 대한보고에 대한 언급은 누구나 말해 줄래?

 

[dowjones]

안녕, 난 Leif Halbo 및 Ohlckers 단위의 책 (에서 : 전자 부품, 패키징 및 생산) 실리콘 기판에 다음과 같은 데이터를 찾을 수있다 :

1.SiC :
저항 (옴 * ㎝) = 10 ^ 13
분기 EPS =
15-45tand = 5 * 10 ^ -2

2.그럼요
저항 (옴 * ㎝) = 10 ^ 4 (그들은 또한 10을 나타냅니다 ^ -4, 난이 잘 이해) dont
분기 EPS =
11월 9일tand = 4 * 10 ^ -2 / 4 * 10 ^ -3

3.SiO2
저항 (옴 * ㎝) = 10 ^ 6
분기 EPS =
9월 3일tand = 3 * 10 ^ -2

4.Si3N4
저항 (옴 * ㎝) = 10 ^ 12
분기 EPS = 7.5
tand = ---

 

[VSWR]

만약 내가 당신이라면, 난 100 % 확신 수있는 기판의 제조 업체에 물어 보곤했었다.당신은 데이터 시트 (기판 소재 사양)를 가지고 있습니까?

limate 썼습니다 :

제가 CPW 시뮬레이션에 노력 높은 - 저항 실리콘 (5000 ohm.cm) 기판.
기판의 손실이 무엇 접선에 대한 올바른 가치가 될 지 궁금해하고있습니다.
만약 거기에 대한보고에 대한 언급은 누구나 말해 줄래?

 

[Guest]

[No message]

 

[dowjones]

다시 안녕, 나 역시도 같은 책에 새 데이터를 찾을 수있습니다.

을 나타냅니다 "높은 저항 실리콘"노 = 10 ^ 3 옴 * 센티미터

엡실론 =
11월 9일tand = 0.015

그 희망으로 도움이됩니다.안부