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난 H - 브리지 ATMega164P 어떤 가기와 N의 P - 채널 MOSFET을 사용하여 - 채널 MOSFET을 바닥에 의해 제어 만들었습니다.그것은 연구에서 NiCd 배터리로부터 전력을 그립니다 / C 경주용 자동차와 모터의 피드를 차있다.두 N 채널 및 P - 채널 FET를 가지고 ~ 33milliOhm RdsOn 및 배터리 소스 전체 모터에 전류를 할 수 때에 직접 연결시켜 줬습니다.그러나, 내가 최고로 모터와 배터리를 플러그 - 다리 100 % 듀티 사이클에서 실행, 모터 그리고 그것을 풀 속도 절대 일어나서 몇 초 전에도 선회를 시작 걸립니다 (전 회전 속도계가 붙어있다면 모터)합니다.
내가 직접 마이크로 컨트롤러에서, 그래서 빌 게이츠는 단지 비록 h로 7.2V 전압이 5V의 다리를 볼 수있습니다 MOSFET을 구동입니다.하지만, 내 오실로 스코프에 따라 MOSFET을 통해 내가 모터의 장소에서 330Ohm 저항을 삽입하는 전체 전압을 해줘서있습니다.
내가 왜 H - 브리지 소스 모터 전류, 그래서 누군가는 여기에 내가 그들에게 어떤 생각을 고맙게 여길 수없는 현실에 대해 아무런 생각했다.
내가 직접 마이크로 컨트롤러에서, 그래서 빌 게이츠는 단지 비록 h로 7.2V 전압이 5V의 다리를 볼 수있습니다 MOSFET을 구동입니다.하지만, 내 오실로 스코프에 따라 MOSFET을 통해 내가 모터의 장소에서 330Ohm 저항을 삽입하는 전체 전압을 해줘서있습니다.
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