설계"왜

P

PatrickLee

Guest
내가 디자인 bandgap 새입니다.
내가 bandgap 디자인의 많은 약 1.2V의에서 규제 것으로 나타났습니다.

이 값을 어떻게 결정되는가?

양수와 음수 온도가 최고의 취소에 대한 계수가 온도 보상 작업이 전압이 시점에서 가장 좋은 가요?

방법의 SPICE 시뮬레이션 보상 포인트 최고의?온도 청소 하나요?

 
1.2V의 bandgap 설계를위한 실리콘 bandgap 전압 및 온도 계수가 0 인 기준에 의해 결정됩니다.

 
우리는 종종 bandgap 위해 1.24V 디자인입니다.

 
정말 당신이 좋은 알았어.
사실 bandgap 1.2V의 작동 원리에 의해 결정됩니다.bandgap 전압 설계의 의도 / 전류 전압을 확보하는 것입니다 / temperature.We에 Dependance없이 전류 다이오드 Vbe 사이의 전압을 부정적인 온도 Dependance 압니다.그래서 일반적으로 우리가 다른 전압 / 긍정적인 온도 의존성과 전압 전류를 확보 / 사용 온도에 의존하지 않고 현재.하지만 Vbe 1.205v에 제로 켈빈 정도의 수렴이다.그래서 전압 온도에 의존하지 않고 그냥 주위를 1.2V로합니다.

 
안녕하세요, Nuiscet,

그래서 근본적인 전압 : 1.205V 의미 (당신이 오케이 언급)는 변경할 수없습니다?
1.205V 모든 웨이퍼 파운드리 공정의 독립입니까?그렇죠?

그래서 bandgap 디자인 1.205V의 전압을 달성하는 것입니다.

그래서 "디자인"라는 구절 중에 디자인 기준입니다.
왜 SPICE 시뮬레이션 동안에 R1, R2에, R3, AE1, AE2의 주어진 집합 값위한 (매개 변수를 보여되어야 알렌과 Holberg에서 설명)?
우리가 값을 수정해야 할 청소 및 온도 최적의 결과를 얻기 위해?

 
난 어떤 웨이퍼 파운드리 공정의 독립 1.205V 같아요.Vbe 때문에 온도 변화에 선형되지 않습니다 그러나 실제로, 우리는 거의 직선이다 Vptat 정확한 1.205V받을 수없습니다.그래서 Vbe의 합계 Vptat 정확한 값이 아닙니다.VBE에서 = KT는 / q에서만 * lnIc / IC 및 온도 변화 때 양쪽 모두가 변화입니다.그래서 actuall 그냥 주위 1.2V의 출력입니다.

 
전 1.2 승 원래 bandgap 레퍼런스 디자인의 오래된 개념, 사실, 생각, 현재 CMOS 공정에서 기생 pn 접합 및 전류 모드 회로를 사용하여 온도 independt 참조 1.2V로 국한되지 않습니다

안부,올린날짜 2 분 후 :저기 bandgap 레퍼런스 디자인은 "정밀 전압 레퍼런스 다이오드 고가 주문 Bandgap 회로"는 IEEE 보도에 이르기까지라는 책을 초점이다.또한 많은 논문 bandgap 디자인에 게시된 경우, 그것을 큰 주제입니다.감사합니다.

 
내가 0.18um TSMC는 하이테크와 bandgap ckt 설계 및 1.26v 전압 레퍼런스를 달성했다.bandgap 약 40도 자사의 '제로 온도 계수를 가져옵니다.회로 당사 제품의 CIS는 (CMOS 이미지 센서)에서 사용되었고 잘 작동한다.
그냥 참조하십시오.

 
nuiscet 썼습니다 :

정말 당신이 좋은 알았어.

사실 bandgap 1.2V의 작동 원리에 의해 결정됩니다.
bandgap 전압 설계의 의도 / 전류 전압을 확보하는 것입니다 / temperature.We에 Dependance없이 전류 다이오드 Vbe 사이의 전압을 부정적인 온도 Dependance 압니다.
그래서 일반적으로 우리가 다른 전압 / 긍정적인 온도 의존성과 전압 전류를 확보 / 사용 온도에 의존하지 않고 현재.
하지만 Vbe 1.205v에 제로 켈빈 정도의 수렴이다.
그래서 전압 온도에 의존하지 않고 그냥 주위를 1.2V로합니다.
 
아니, Vbe 다이오드 접합부를 형성함으로써이 주도하고있다.이 접합 CTAT 행동과 주위에 - 2mV의 거의 선형 Dependance / ° C.있다하지만 KT는 / q를 아직도 요소이다, 그것을 다른 장치에 비해 온도가 dependancies 작은입니다.

 
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