사람들이 나에 TSMC0.18의 매개 변수를 estimateted 알려 드릴까?

[yonzzan]

내가 1 등 손으로 계산을 매개 변수를
찾기 위해))), 승 대한 Vth UCox,
3 람다,
2 필요 / 패 = 2/.18, 2/.36, 2/.54 및 2/.72um.이후 너무 종지와 시뮬레이션으로 모든 가치가 연락하는데 시간이 오래 걸립니다, 정말 감사합니다 날 경우 이미 그 가치를 줄 수있는 사람은 누구나 다.

진심으로 감사합니다.

 

[Mistico_Pereyra]

이 기술의 프로세스의 여러 유형이있다, 당신에있는 정보를 얻을 수있습니다 :

http://www.mosis.com/products/fab/vendors/tsmc/tsmc018/

the 파라메 트릭 테스트 결과 및의 SPICE 모델 매개 변수 :
http://www.mosis.com/products/fab/vendors/tsmc/tsmc018/파일이 같은 위치 :

WAFER 동의 MOSIS 검사

실행하십시오 : T68B (MM_NON - EPI) 꼬맹이 : TSMC는
기술 : SCN018 기능 크기 : 0.18 미크론
실행 유형 : SKD소개 :이 보고서는 많은 평균 MOSIS에 의해 얻은 결과가 포함되어있습니다
측정의 각 MOSIS 테스트 구조의 웨이퍼에서
이 지어낸 것이 많이있습니다.유사의 SPICE 파라미터를 얻은
선택한 웨이퍼에 대한 측정도 붙어있다.

코멘트 : DSCN6M018_TSMC트랜지스터 인자 승 / 패 N - 채널 P - 채널 5663

최소 0.27/0.18
Vth 0.50 -0.51 볼트

SHORT 20.0/0.18
idss 547 -250 uA / 음
Vth 0.51 -0.51 볼트
Vpt
8월 4일 -5.6 볼트

와이드 20.0/0.18
Ids0
4월 14일 -4.7 pA / 음

크고 50/50
Vth 0.43 -0.42 볼트
Vjbkd
1월 3일 -4.3 볼트
Ijlk <50.0 <50.0 pA

케이 '(uo * 콕스 / 2) 175.4 -35.6 uA / 브이 ^ 2
저가 - 필드 모빌리티 416.52 84.54 센티미터 ^ 2 / 브이 * s

코멘트 : 폴리 바이어스 설계 기술과 다릅니다.마스크에 대한 계정을하려면
매개 변수에 대한 편견과
XW XL에 적절한 값을 사용
귀하의 SPICE 모델 카드.
설계 기술 XL에 (음) XW (음)
----------------- ------- ------
SCN6M_DEEP (람다 = 0.09) 0.00 -0.01
산화물 0.00 -0.01
두께SCN6M_SUBM (람다 = 0.10) -0.02 0.00
산화 -0.02 0.00
두께

FOX 트랜지스터 관문 N 실행중 P 실행중 5663
Vth 폴리>
6월 6일 <-6.6 볼트공정 매개 변수 N P POLY N BLK 가닥으로 꼰 BLK M1은 M2를 5663
시트 저항
7월 6일 8월 7일 8.0 59.7 313.6 0.08 0.08 ohms / 평방
접촉 저항
10월 6일 11.0 10.0 4.79 ohms
게이트 산화물 두께 41 angstrom

공정 매개 변수의 M3 POLY_HRI M4는 5663 호 M5 M6 N_W
시트 저항 0.08 0.08 0.08 0.03 930 ohms / 평방
접촉 저항
9월 24일 5월 14일 18.39 20.69 ohms

코멘트 : BLK silicide 블록입니다.커패시턴스 인자 N P POLY M1은 M2를 M3는 M4는 호 M5 M6 R_W D_N_W M5P N_W 5663
면적 (기판) 942 1163년 106 34 9월 14일 6 5 3 123 125 두려웠던 / 음 ^ 2
지역
회 (N 활성) 8484 55 20 11월 13일 8월 9일 두려웠던 / 음 ^ 2
면적 (P 활성) 8232 두려웠던 / 음 ^ 2
면적 (폴리) 66 17 7월 10일 5월 4일 두려웠던 / 음 ^ 2
면적 (metal1) 37 14 9 6 5 두려웠던 / 음 ^ 2
면적 (metal2) 35 14 6월 9일 두려웠던 / 음 ^ 2
면적 (metal3) 37 9월 14일 두려웠던 / 음 ^ 2
면적 (metal4) 36 14 두려웠던 / 음 ^ 2
면적 (metal5) 34 984 두려웠던 / 음 ^ 2
면적 (연구 잘) 920 두려웠던 / 음 ^ 2
면적 (d 개의 잘) 582 두려웠던 / 음 ^ 2
면적 (우물) 137 두려웠던 / 음 ^ 2
프린지 (기판) 212 235 41 35 29 21 14 두려웠던 / 음
프린지 (폴리) 70 39 29 23 20 17 두려웠던 / 음
프린지 (metal1) 52 34 22 19 두려웠던 / 음
프린지 (metal2) 48 35 27 22 두려웠던 / 음
프린지 (metal3) 53 34 27 두려웠던 / 음
프린지 (metal4) 58 35 두려웠던 / 음
프린지 (metal5) 55 두려웠던 / 음
중복
회 (N 활성) 895 두려웠던 / 음
중복 (P 활성) 737 두려웠던 / 음인자 회로 5663
인버터 케이
Vinv 1.0 0.74 볼트
Vinv
5월 1일 0.78 볼트
집 (100 UA)와 2.0 0.08 볼트
Voh (100 UA)와 2.0 1.63 볼트
Vinv 2.0 0.82 볼트
게인 2.0 -23.72
오실레이터 주파수 반지.
D1024_THK (31 - STG, 3.3V의) 300.36 MHz 이상
DIV1024 (31 - STG, 1.8V에서) 363.77 MHz 이상
반지 발진기 전원
D1024_THK (31 - STG, 3.3V의) 0.07 uw / MHz의 / 게이트
DIV1024 (31 - STG, 1.8V에서) 0.02 uw / MHz의 / 게이트

코멘트 : DEEP_SUBMICRON
T68B의 SPICE BSIM3 버전 3.1 매개 변수

의 SPICE 3f5 레벨 8, 스타 - HSPICE 수준 49, 최고 레벨 8

* 날짜 :
06분의 24* 많이 : T68B WAF : 6001
* Temperature_parameters = 기본
. CMOSN 모델 NMOS (수준 = 49
버전 =
1월 3일 TNOM = 27 독극물 검사 = 4.1E - 9
XJ = 1E - 7 nch = 2.3549E17 VTH0 = 0.3636291
K1 = 0.5838101 K2 = 4.127489E - 3 K3 = 0.6404026
K3b = 2.5713333 W0 = 1E - 7 NLX = 1.753559E - 7
DVT0W = 0 DVT1W = 0 DVT2W = 0
DVT0 = 1.3052219 DVT1 = 0.4111179 DVT2 = 0.0551704
U0 = 266.1107358은 UA = - 1.419895E - 9 UB = 2.352139E - 18
UC = 6.565935E - 11 VSAT = 9.429196E4 A0 = 1.7723579
AGS = 0.4051668 B0 = 7.941838E - 8 지하 1 층 = 3.005112E - 6
KETA = - 5.407505E - 3 대답 = 0.5204773 대답 = 1
RDSW = 130.8061518 PRWG = 0.4278613 PRWB = -0.2
WR = 1 WINT = 0 린트 = 1.620242E - 8
XL에 = 0 XW = - 1E - 8 DWG = - 8.056812E - 9
DWB = 6.598758E - 9 VOFF = -0.0964987 NFACTOR = 2.4197852
CIT = 0 CDSC = 2.4E - 4 CDSCD = 0
CDSCB = 0 ETA0 = 2.810394E - 3 ETAB = 3.137621E - 6
DSUB = 0.0115258 PCLM = 0.6875531 PDIBLC1 = 0.1251592
PDIBLC2 = 2.98914E - 3 PDIBLCB = -0.1 DROUT = 0.7011372
PSCBE1 = 8E10 PSCBE2 = 1.721793E - 9 = 1.067213E
PVAG - 3
DELTA = 0.01 rsh =
7월 6일 MOBMOD = 1
PRT = 0 ute = -1.5 KT1 = -0.11
KT1L = 0 KT2 = 0.022 UA1 = 4.31E - 9
7.61E - 18 uc1 = - UB1 = - 5.6E - 11은 AT = 3.3E4
WL = 0 = 1 WW
= 0 WLN
WWN = 1 WWL = 0 청각 = 0
LLN = 1 LW = 0 LWN = 1
LWL = 0 CAPMOD = 2 XPART = 0.5
CGDO = 8.95E - 10 CGSO = 8.95E - 10 CGBO = 1E - 12
CJ는 = 9.515702E - 4 PB는 = 0.8 엠제이 = 0.3779345
CJSW = 2.561363E - 10 PBSW = 0.7 MJSW = 0.1167351
CJSWG = 3.3E - 10 PBSWG = 0.7 = 0.1167351
MJSWGCF = 0 PVTH0 = - 1.184709E - 3 PRDSW = -2.3246954
PK2 = 6.277782E - 4 WKETA = 2.881549E - 4 LKETA = - 8.990893E - 3
PU0 = 7.0240127 PUA = 1.149338E - 11 퍼브 = 0
PVSAT = 1.587169E3 PETA0 = 1E - 4 PKETA = 8.490252E - 4)
*
. CMOSP 모델의 PMOS (수준 = 49
버전 =
1월 3일 TNOM = 27 독극물 검사 = 4.1E - 9
XJ = 1E - 7 nch = 4.1589E17 VTH0 = -0.3932705
K1 = 0.5903025 K2 = 0.0219618 K3 = 0.0995693
K3b = 5.8822409 W0 = 1E - 6 NLX = 1.195759E - 7
DVT0W = 0 DVT1W = 0 DVT2W = 0
DVT0 = 0.6188318 DVT1 = 0.2460174 DVT2 = 0.1
U0 = 110.5057255은 UA = 1.377621E - 9 UB = 1.271816E - 21
UC = - 1E - 10 VSAT = 1.131497E5 A0 = 1.5988581
AGS = 0.3352489 B0 = 2.189139E - 7 지하 1 층 = 9.37713E - 7
KETA = 0.0221995 대답 = 0.8 대답 = 0.4421783
RDSW = 223.7367117 PRWG = 0.5 PRWB = -0.0576591
WR = 1 WINT = 0 린트 = 2.949516E - 8
XL에 = 0 XW = - 1E - 8 DWG = - 3.223729E - 8
DWB = - 1.652628E - 8 VOFF = -0.0923334 NFACTOR = 1.9212866
CIT = 0 CDSC = 2.4E - 4 CDSCD = 0
CDSCB = 0 ETA0 = 0.101736 ETAB = -0.0229142
DSUB = 0.8849034 PCLM = 2.4031621 PDIBLC1 = 2.393944E - 4
PDIBLC2 = 0.0227249 PDIBLCB = - 7.281329E - 4 DROUT = 9.989608E - 4
PSCBE1 = 1.723722E9 PSCBE2 = 5E - 10 = 14.9986042
PVAGDELTA = 0.01 rsh =
8월 7일 MOBMOD = 1
PRT = 0 ute = -1.5 KT1 = -0.11
KT1L = 0 KT2 = 0.022 UA1 = 4.31E - 9
7.61E - 18 uc1 = - UB1 = - 5.6E - 11은 AT = 3.3E4
WL = 0 = 1 WW
= 0 WLN
WWN = 1 WWL = 0 청각 = 0
LLN = 1 LW = 0 LWN = 1
LWL = 0 CAPMOD = 2 XPART = 0.5
CGDO = 7.37E - 10 CGSO = 7.37E - 10 CGBO = 1E - 12
CJ는 = 1.145174E - 3 PB는 = 0.8549847 엠제이 = 0.4215146
CJSW = 2.482114E - 10 PBSW = 0.9320898 MJSW = 0.3003922
CJSWG = 4.22E - 10 PBSWG = 0.9320898 = 0.3003922
MJSWGCF = 0 PVTH0 = 3.295296E - 3 PRDSW = 6.6024854
PK2 = 2.247694E - 3 WKETA = 0.0236668 LKETA = 1.429876E - 3
PU0 = -1.6090985 PUA = - 5.69245E - 11 퍼브 = 1.424391E - 22
PVSAT = 50 PETA0 = 1E - 4 PKETA = - 3.486553E - 3)

 

[gingerjiang]

당신은 종지에있는 장치의 작동 지점을 시뮬레이션할 수있습니다.
첫째로, 회로 측정 트랜지스터와 여러 DC 전압 원으로 구성된 트랜지스터의 작전 세트 포인트를 사용하여 이러한 소스 건설;
그럼, dc를 분석에서 "이
작전 지점"저장, 선택 및 DC 분석;
결국 트랜지스터의 DC 작전 지점을 보여, 당신은 트랜지스터의 매개 변수를
찾을 수있습니다.
uCox에 대한 사용 effbeta / (승 / 난)
람다, 사용 1 / (론 * 전)
vth을 위해, 그것을 직접적으로 보여주는