불규칙한 모양을위한 MOS 게이트 너비를 찾는 방법?

[ahmad_abdulghany]

안녕하세요, 간단한 직사각형 MOS 트랜지스터 들어, 너비 및 전류 흐름의 방향에 따라 길이를 식별하는 데 용이합니다. 당신은 복잡한 불규칙 MOS 트랜지스터를합니다 (거미 같은 : D하지만 주로 하나 또는 양쪽에서 많은 결함을 가진 사각형과 같은) 경우, W와 L을 정의하는 데이 경우에는 과학적인 방법이 있나요? 때로는 현재의 흐름은 두 직교 방향으로 아직하지만 우리는 현재의 흐름에 서로 다른 영역을 횡단했습니다. 나는이 불규칙 모양과 큰 승 / 패 비율 트랜지스터 이야기 종이 전에 어디 선가 본 것 같은,하지만 난 봤어 어디 어차피 기억. 모든 아이디어 또는 문제에 대해 얘기하는 논문? 감사합니다, 아마드

 

[erikl]

[인용 = ahmad_abdulghany] 그 문제에 대해 이야기하는 모든 아이디어 또는 서류? [/ 인용] 적절한 추출 규칙 파일이 (추출하여) 얻을 수 있습니다. 검색 " 추출 규칙 는 '와, 아마," 와플 "같은, 예를 들어 [URL = http://www.edaboard.com/viewtopic.php?t = 293021 & 하이라이트 = 와플]이. [/URL] 그것이 도움이 있는지 확실하지 않습니다.

 

[timof]

[인용 = ahmad_abdulghany] 안녕, 간단한 직사각형 MOS 트랜지스터의 경우는 너비 및 전류 흐름의 방향에 따라 길이를 식별하는 데 용이합니다. 당신은 복잡한 불규칙 MOS 트랜지스터를합니다 (거미 같은 : D하지만 주로 하나 또는 양쪽에서 많은 결함을 가진 사각형과 같은) 경우, W와 L을 정의하는 데이 경우에는 과학적인 방법이 있나요? 때로는 현재의 흐름은 두 직교 방향으로 아직하지만 우리는 현재의 흐름에 서로 다른 영역을 횡단했습니다. 나는이 불규칙 모양과 큰 승 / 패 비율 트랜지스터 이야기 종이 전에 어디 선가 본 것 같은,하지만 난 봤어 어디 어차피 기억. 모든 아이디어 또는 문제에 대해 얘기하는 논문? 감사합니다, 아마드 [/ 인용] 최종 사용자 (디자이너) 관점에서 볼 때, LVS 추출 당신을 위해 게이트 두께 계산 (erikl의 게시물을 참조) 않습니다. 장치 물리학 관점에서, 게이트 폭은 일반적인 경우에 정의되어 매개 변수 (- 그것이 게이트 폭을 정의 내부 또는 외부 원을입니까? 예를 들어, 게이트가 O 자형이 경우)입니다. 그뒤로, 장치 컴팩트 모델은 게이트의 너비와 관련하여 확장성되지 않은 것은 (그들은 하나의 세포마다 현재의 정의) 다음 게이트 너비의 개념이 전혀 감각이 없습니다.