번 게이트 트랜지스터의 모델링

[rogger123]

안녕,
줄래 하나를 두 번 게이트 트랜지스터를 사용하여 VHDL - AMS 모델링을 도와하실 수있습니다.
또는 더블 게이트 트랜지스터에 어떤 물질??
아래의 VHDL - 단일 게이트 트랜지스터를 ....위한 AMS 코드입니다
거기에 그것을 변경하는 간단한 방법은 무엇입니까??

도서관학과;
사용 disciplines.electromagnetic_system.all;
라이브러리는 IEEE;
사용 ieee.math_real.all;
엔티티 ekv0입니다
포트 (터미널 개발, g 등, 에스 b : 전기);
끝;
ekv0의 아키텍처 equ입니다
g 전체 수량 VG에 b;
수량 패들을 통해 아이디 전체 VD;
B에들 전체 수량을 비교;
들을 통해 수량 isource;
버몬트 상수 : 실제 : = 26.0E - 3;
- 열역학적 전압
상수 weff : 실제 : = 10.0e - 6;
- 효과적인 채널 폭
상수 leff : 실제 : = 10.0e - 6;
- 효과적인 채널 길이
파이 상수 : 실제 : = 0.6;
- 잠재적인 대량 페르미
감마 상수 : 실제 : = 0.6;
- 바디 효과 매개 변수
KP는 상수 : 실제 : = 20.0e - 6;
- transconductance 매개 변수
상수 쎄타 : 실제 : = 50.0e - 3;
- 이동성 감소 계수
상수 vto : 실제 : = 0.6;
- 긴 채널 임계값 전압

수량 VGprime, 부사장, IFF, 적외선, 베타, N으로, ISS의 : 진짜;
함수 F (v를 : 실제) 진짜로 돌아가기
시작
반환 (로그 (1.0 (v/2.0 )))** 2 애썼는데;
끝;
시작
VGprime == VG - vto 파이 감마 * sqrt (파이);
부사장 == VGprime - 파이 - 감마 *
((VGprime (gamma/2.0) ** 2) sqrt
- (gamma/2.0));
IFF == F ((부사장 - 대) / 버몬트);
적외선 == F ((부사장 - VD) / 버몬트);
KP는 베타 버전 == * (weff / leff) *
(1.0 / (1.0 세타 * 부사장));
n == 1.0 (감마 / (2.0 * sqrt (부사장 파이 4.0 * 버몬트)));
ISS는 == 2.0 * N으로 * 베타 * 버몬트 * 버몬트;
아이디 직전 == * (IFF - IR)의;
isource == - 아이디;
끝;

 

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