-"문제를 분석하는 회로의 DC 방출

Y

yann_sun

Guest
거기에 직류 분산 nonswitching 기간 동안 무엇입니까?
그게 뭔데?
여기에 그림입니다.감사합니다<img src="http://images.elektroda.net/98_1158030126.jpg" border="0" alt="Problem analysing circuit's dc dissipation" title="문제를 분석하는 회로의 DC 방출"/>
 
내가 없으면 NMOS을 통해 누설 전류가있다 거기에 어떤 직류 소실 될 거라고 생각하지 않습니다.이 사건 때 입력 중 하나를 VDD 나 GND와 전환되지 않습니다 것입니다.

 
그건 완전한 회로를보다 대표적인 회로를 더 닮았어요.

만약 당신이 M1은, 어떤 Q0 켜지 켜지 입력 땅.그 기지 Q0의 교차점 방사체와 일련의 경로, M1이의 Rds 수있습니다.

그래서 : M1이의 전원 (Vdd - Vbe) ˛ / Rds 기본적으로 이메일 ˛ / R은있을 것입니다

그리고 Q0의 전력 ((Vdd - Vbe) / Rds) * Vbe는 그냥 * 이메일있을 것입니다

아무 출력 부하 가정 하면요.
높은 입력과 함께, 그 M0 및 1 분기에 적용됩니다
내가 말했듯이, 거기에 최소 2 저항기;이 누락되었습니다 하나씩 시리즈 MOSFET을 함께했다.

 

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