-"매우 높은 precission 비교

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Tom_Sawyer

Guest
안녕 모두,

아키텍처 어떤 종류의 높은 precission 비교 BiCMOS 공정을 사용하여 실행하는 것이 좋습니다 수있습니다.

그 이외의 비교 .. 닫히진입니다어디로 1.5 %의 precission해야합니다 ...그리고 자동 제로 기술 오프셋 보상 ...에 대한 디자인 타임의 (질문)를 피하려고

언제 바이폴라 입력 장치 - 무엇에 대한 평등이 아닌 전류를 할 때 기본은 하나의 입력 저항 디바이더에서 오는가 사용하고 계십니까?

도움이 필요하십니까 ...

안부 인사,



 
당신은 내가 명확하게 이해할 수없는 일부 단어를 말할 수있다.

"1.5 %의 precission
이것은 입력 전압 오버 드라이브 전체 scal 전압의 1.5 %을 의미합니까?
그렇다면, 대답은 "있다"에 따라 다릅니다.내 말은, 얼마나 많은 혹사 전압 depands.만약 아주 (즉, 여러 mV) 일부 수정해야 할 수도있습니다 테크닉 작다.단지 그것을 증폭하지 않는 경우.

"나는 자동 제로 기술 설계의 시간 (질문)를 피하려고
미안 해요, 설계 시간의 (질문) 이해가 래요??

"때, 바이폴라 입력 장치 - 무엇에 대한 평등이 아닌 전류를 할 때 기본은 하나의 입력 저항 디바이더에서 오는가 사용하고 계십니까?
효과, 그런 것 같아요.그런 일 없을 겁니다 변경 입력 전압.당신이 및 시뮬레이션에 의해 확인 고려할 필요가있습니다.

난 당신이 도움이되기를 바랍니다.

 
제발 ;-) 볼트의 최소 입력 전압 감지를 지정

적절한 자동으로하지 않고 최소 입력 오프셋 - 0 기술 1mV에 대해입니다.충분히 당신을 위해인가?

 
그럼, 답장을 보내주셔서 감사합니다 지금까지.

좀 더 정확한 설명을 줄 것입니다 :

난 "블록 전압" "전압"을 아래에서 재설정을 차단을 위해 디자인했다.
초기화 블록 아래의 감지 전압 또는 전압 이상 1.5 %의 정밀도를 가지고 있어야합니다.
난 5 V 공급 작동됩니다.이상 신호 또는 전압이 2.6V 이하가 감지됩니다.내가 2.39V의 손질 1 % bandgap 전압을 얻을 것입니다 참고로.

난 아주 정밀한 비교가 필요 이런 이유로 들어 ..

난 둘 다 사용하는 줄 알았 :

클럭 생성을위한 자동 제로 기술과 OA 기기가 함께 간단한 비교 (높은 디자인의 노력도)
큰 입력 장치와 O 또는 비교 오프셋 전압 주위를 얻을합니다.

이것에 대해 어떻게 생각하십니까?

안부 인사,



 
난 당신이 작업을 overcomplicate하려고 같아요.
이것은 기본적인 비교를 사용하여 311와 같은 좋은 안정된 전압 레퍼런스 소스와 (ΔVref / ΔT "50ppm / ℃) ATL 촌놈 (카) 431과 같은 .. 달성될 수있다

 
아직도 당신을 잡을 수 없다면 ...만약 블록 다이어그램가 없다면, 도움이 될 것이다.

 
http://www.sdrforum.org/pages/sdr05/4.1 % 20System % 20Implementation % 201/4.1-03 % 20Anderson % 20et % 20al.pdf

 

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