레이아웃"차동

K

kickbeer

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당신이 첨부 파일에있는 회로를 볼 수있습니다.내가 VDD 3.3V 및 0.35um SPICE 모델과 함께 일하고 있어요.내 이해 M9a 및 M9b에서 포화 상태에있습니다.사실 뭐 M8의 기능은 무엇입니까?그렇게 사용하는 그 M9a 및 M9b 채도가?가요 M8 triode 또는 채도에서 일하고 있지?난 정말 이것에 대해 우둔 해요

 
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차동 증폭기는 입력 사이의 차이만을 증폭하는 작업을하고있다.그러나, 두 신호 또한 공통 모드 부분을 증폭됩니다.
불행히!
목표와 함께 결합 배열의 일반적인 소스 라인 (공통 모드 이득이 매우 큰 저항을 다시 포함되어야 가능 한한 낮은이 원치 않는 부분을 계속 Rd/2gRe)입니다.전압 소스와 함께 매우 큰 저항을 전류 소스로 (Rd = 드레인 저항을 볼 수 g = transconductance).
따라서, 최선의 활성 전류 소스 결과 (3 트랜지스터)의 공통 모드 이득 아주 작은 만들 수있습니다 사용할 수있습니다.3 트랜지스터의 끝이니 작업입니다.

 
LvW 썼습니다 :

차동 증폭기는 입력 사이의 차이만을 증폭하는 작업을하고있다.
그러나, 두 신호 또한 공통 모드 부분을 증폭됩니다.

불행히!

목표와 함께 결합 배열의 일반적인 소스 라인 (공통 모드 이득이 매우 큰 저항을 다시 포함되어야 가능 한한 낮은이 원치 않는 부분을 계속 Rd/2gRe)입니다.
전압 소스와 함께 매우 큰 저항을 전류 소스로 (Rd = 드레인 저항을 볼 수 g = transconductance).

따라서, 최선의 활성 전류 소스 결과 (3 트랜지스터)의 공통 모드 이득 아주 작은 만들 수있습니다 사용할 수있습니다.
3 트랜지스터의 끝이니 작업입니다.
 
kickbeer 썼습니다 :그래서 제 트랜지스터, M8 포화 상태에 .. 내가 지금해야하는가?
다시 계산하는 방법?
3 트랜지스터에서 다시인가요?
당신이 두 개의 저항기 VDD에 연결된 Rd 이것을 원하셨습니까?
 
만약 우리가 어느 게이트 및 드레인 누전 PMOS 부하 저항을 대체할 2??

 
kickbeer 썼습니다 :

만약 우리가 어느 게이트 및 드레인 누전 PMOS 부하 저항을 대체할 2??
 
그 두 가지 모두 저항 NMOS 차동 쌍 드레인 PMOS 부하에 의해 대체됩니다. (게이트 및 드레인 누전 경우)에 연결되어 뜻.M8에 대해서는, 내가 처음으로 내 LTSpice 시뮬레이션 전류 소스로 대체하는 계획입니다.당신은 얼마나 큰 전류를 계산해야합니다 어떤 구체적인 수식을 가지고 마십시오.그게 음의 크기에 있어야하는 것이 좋습니다.아니면 특정 수식은?나 3.3V의 전압 공급 장치 및 0.35μm SPICE 모델과 함께 일하고 있어요.thanxs

 

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