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wwwww12345
Guest
내가 abosulute 가치를 의미.왜 이런 일이?누군가 당신을 감사 말해 줄 수 있어요!
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Guest
그것 캐리어 양식 채널의 이동성 예정이다 ...
G
Guest
Guest
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G
Guest
Guest
임계값 volatge을위한 잘 알려진 수식 :<img src='http://www.elektroda.pl/cgi-bin/mimetex/mimetex.cgi?3$V_{TH}=\Phi_{MS} 2 \Phi_{F} \frac{Q_{dep}}{C_{ox}}' title="3 $ V_ (TH) = \ Phi_ (석사) 2 \ Phi_ (F) \ frac ((DEP는)) Q_ (C_ (소))" alt='3$V_{TH}=\Phi_{MS} 2 \Phi_{F} \frac{Q_{dep}}{C_{ox}}' align=absmiddle>페르미 잠재력 :
<img src='http://www.elektroda.pl/cgi-bin/mimetex/mimetex.cgi?3$\Phi_{F} = \frac{kT}{q} \ln \frac{N_{Sub}}{n_{i}}' title="3 $ \ Phi_ (F) = \ frac () KT는 (질문) \ 에선 \ frac (N_ (하위)) (n_ (난))" alt='3$\Phi_{F} = \frac{kT}{q} \ln \frac{N_{Sub}}{n_{i}}' align=absmiddle><img src='http://www.elektroda.pl/cgi-bin/mimetex/mimetex.cgi?3$Q_{dep}=\sqrt{4q \eps_{Si} |\Phi_{F}| N_{Sub}}' title="3 $ Q_ (DEP는) = \ sqrt (4 분기 \ eps_ (시) | \ Phi_ (F) | N_ (하위))" alt='3$Q_{dep}=\sqrt{4q \eps_{Si} |\Phi_{F}| N_{Sub}}' align=absmiddle>그것은 정확하게 수식을 아니지만, 그것을 올바른 방법으로 당신을 못살게 굴지.
PMOS 및 NMOS 보통 임계값 전압 사이의 차이는 약입니다.100 mV.
내가 이동성 때문에 의심.
내가 도핑에 차이가 있기 때문에 것 같다.
<img src='http://www.elektroda.pl/cgi-bin/mimetex/mimetex.cgi?3$\Phi_{F} = \frac{kT}{q} \ln \frac{N_{Sub}}{n_{i}}' title="3 $ \ Phi_ (F) = \ frac () KT는 (질문) \ 에선 \ frac (N_ (하위)) (n_ (난))" alt='3$\Phi_{F} = \frac{kT}{q} \ln \frac{N_{Sub}}{n_{i}}' align=absmiddle><img src='http://www.elektroda.pl/cgi-bin/mimetex/mimetex.cgi?3$Q_{dep}=\sqrt{4q \eps_{Si} |\Phi_{F}| N_{Sub}}' title="3 $ Q_ (DEP는) = \ sqrt (4 분기 \ eps_ (시) | \ Phi_ (F) | N_ (하위))" alt='3$Q_{dep}=\sqrt{4q \eps_{Si} |\Phi_{F}| N_{Sub}}' align=absmiddle>그것은 정확하게 수식을 아니지만, 그것을 올바른 방법으로 당신을 못살게 굴지.
PMOS 및 NMOS 보통 임계값 전압 사이의 차이는 약입니다.100 mV.
내가 이동성 때문에 의심.
내가 도핑에 차이가 있기 때문에 것 같다.
D
drabos
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내가 vth 파운드리에 의해 보형물에 따라 달라집니다 같아요.
L
leo_o2
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PMOS, 이식 NWELL 및 P 2 도핑 난 임플란트.
H
hsf1234
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안녕
내가 NMOS 및 PMOS의 문턱 전압을 도핑에 의해 동일한 수준으로 수정할 수있습니다 같아요.
내가 NMOS 및 PMOS의 문턱 전압을 도핑에 의해 동일한 수준으로 수정할 수있습니다 같아요.
G
Guest
Guest
나도 같은 생각에 ... 임계값 전압 techology 확인 가능하다.
하지만, 난 그게 그렇게 중요하지 않다와 기술을 결정하는 것 트레이드 오프 많은 것들 사이입니다.
도핑 수준으로 매우 쇠약에, 저항, 기타 중요합니다
하지만, 난 그게 그렇게 중요하지 않다와 기술을 결정하는 것 트레이드 오프 많은 것들 사이입니다.
도핑 수준으로 매우 쇠약에, 저항, 기타 중요합니다
D
drabos
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절대값 임플란트와 NMOS 임계값 미만으로 변경할 수있습니다에 대한 예, PMOS 임계값.
L
leo_o2
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