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$ 문제 1 : 대 ID가 음모를 꾸미고하여 크기 PMOS 장치 승 * = 2 * 아이디 / GM의
DN을 DN이 0 0 PMOS 패 = 1um 승 = 10um 미네소타
vdn 0 dn은 직류 1V 미만
. 직류 vdn 10mV은 3V 10mV
* 참고 :이 승 대 *...
. 프로브 대 = 파 ( '-2 * 난 (미네소타) / (미네소타)') 조합
. 프로브 ID가 = 파 ( '- 난 (미네소타)')
. 옵션 = 2 간략한 게시물 dccap
. lib에서 'cmos35.txt'명목
. 엔드
파형이 어떻게 사용 범위를 음모?
DN을 DN이 0 0 PMOS 패 = 1um 승 = 10um 미네소타
vdn 0 dn은 직류 1V 미만
. 직류 vdn 10mV은 3V 10mV
* 참고 :이 승 대 *...
. 프로브 대 = 파 ( '-2 * 난 (미네소타) / (미네소타)') 조합
. 프로브 ID가 = 파 ( '- 난 (미네소타)')
. 옵션 = 2 간략한 게시물 dccap
. lib에서 'cmos35.txt'명목
. 엔드
파형이 어떻게 사용 범위를 음모?