레이아웃"가능한

[kidmanbasha]

GM의 계획을 세우고 / id를 비교 Vgs VDD 때 0에서 연소 Vgs는 Vgs = 0 작업의 내가 일하고있어 최고의 포인트 (프로젝트라고 아무 주파수 사양이 ... 너무 주파수 응답 밤은 문제 모두) 아마 심지어 부정적인 Vgs GM은 높은 가치를 줄 것이라고 / ID입니다.그래서 Vgs 문턱 전압 이하가 부정적인 vdsat을 의미합니다.
그게 가능한가요?어쨌든, 제가 어떻게하면 직감만을위한 계산기를 사용하여 손으로 스윙을 계산하는 것이다.VDD에 VDD - vdsat 차례의 최대 전압 vdsat 무엇입니까?난 확실하지

 

[JPR]

왜냐하면 전도는 더 이상 표류에 의해 주도되고있다 마찬가지로 Vgs - 버몬트 0 접근법, 장치가 더 이상 강력한 반전에서 근무 규칙의 다른 세트가 발생합니다.vdsat 사용 = Vgs - 버몬트 오직 강력한 전도 지역에서 유효합니다.

장치 전환 영역 (중간 반전) 여기서 작업을 하나의 간단한 방정식 계산에 적합한 손을 사용하여 설명하기가 어려울 수있습니다 통해 이뤄지는 이유는 현재의 드리프트의 조합이 현재 및 확산 전류입니다.

중간 반전 영역을 넘어, 장치가 약한 반전, 여기서 지배적인 현재의 보급으로 인해이 입력됩니다.이 지역에서는 방정식 바이폴라 트랜지스터에 대한 방정식처럼 (Vittoz 또는 EKV에 대한 검색이 지역에서 작전을위한 방정식을 계산에 적합한 손을 찾는 경우)됩니다.이 지역에서 100mV의 vds.sat하거나 순서에있을 수있습니다.이 전압 이하, 그 위에 명시된 바와 같이 모델에서 찾을 수있는 현재의 비교 VDS에 대한 방정식을 기하 급수적으로 가장,이 전압 이상, 당신은 당신 채널 길이 변조를 사용할 수있는 강력한 반전의 전류 대 드레인 전압을 설명하는 것이 도움이 될 것입니다.

 

[snafflekid]

Vgs = 0 훨씬 이득이되지 않습니다 회로를 보장!

당신이 운영 영역에서 MOSFET의 모델의 정확성을 조심해야합니다.왜냐하면 손으로 계산 레벨 1 모델입니다, 당신은 수동으로 회로가 어떻게이 지역에서 운영될 예정이며 계산할 수 없을 것입니다.

당신은 "subthreshold"에 대한 MOSFET의 작동 방법을 볼 때 검색할 수있습니다 Vgs "vth.GM은 상당히 유사성 때문에 바이폴라 동작 높은하실 수있습니다.

 

[Guest]

[No message]

 

[kidmanbasha]

snafflekid, subthreshold 영역 작업의 가능한 가장 높은 게인을 제공하기 때문에 직접 inversly 이득 전류의 제곱근에 propotional GM의 propotional입니다 영역입니다.그리고 subthreshold 지역 최고의 총지배인 / ID가 제공하고있습니다.

어쨌든 내 question.But 감사의 범위는 어차피 못했다.내가 나를 혼란스럽게 JPR부터 알던