디자인"휘트

E

ericmar

Guest
친애하는 모든

내가 HV 몇 가지 질문을 여기에 휘트 스톤 브리지 ABT을 통해 UR을 찾는 데 도움이되기를 바랍니다.나는 4 저항 r에 동일한 저항 값을 n 다른 1 작습니다 5 저항기를 사용하여 휘트 스톤 브리지 시뮬레이션이야.<img src="http://i7.photobucket.com/albums/y297/ericmar/wheatstone_bridge.gif" border="0" alt="Wheatstone Bridge Interface" title="휘트 스톤 브리지 인터페이스"/>내 R1, R2는, R3 및 R4의 1kΩ과 S에 걸쳐 전 HV 하나 더 저항 와 S - 어느 2.8KΩ입니다 가정해 봅시다.5 / 2 = 2.5 V는 S의 동일한 만약 내가 이메일에 걸쳐 5 V의 DC 전압 공급 장치 및 E -, 에스에 걸쳐 전압 및 E - 될 것이다 및 E -.

지금 만약 내가하여 S 25ľV의 신호를 공급 S를 참조하지 않고, 와트 S에 걸쳐 출력 전압은 와 S 것 -?하여 S 25ľV의 공급 신호 밖으로 직접 IC에서 어떤에서 전자로부터 온다 복용한다고 가정해 봅시다 - 그리고 그 GND로.

난 정말 아무 생각 휘트 스톤 브리지의 작동 4 코어 저항이 정상적인 방법으로 휘트 스톤 브리지를 구현과는 다릅니다 고정 값입니다이 구성에서 HV.

미리 가르치려 어떤 전문가는 여기에 주셔서 감사합니다.

안부 인사,
에릭

 
안녕하세요 Ericmar,

정말 일까 분명 아니에요 IC로 구동되고.
opamp 출력 단계를 가정할 s 드라이브 25uV와 이메일로 존중과 함께, 충분한 출력 드라이브의 S 가치를 개최해야한다 25uV있다.

이제 문제는, 어떻게 발생하여 S - ..
그냥 전압 에쓰 놓기 정리 적용
하나는 5V의입니다 -이 2.12V 주변 에쓰를 만듭니다. (2.8k 상상해 1k 병렬 및 1k 시리즈)
다른 25uV입니다.아주 무시할 수 12.5uV.

그래서 에쓰 전압 2.12V이다.
브이 (S , 에스 -) = 25uV - 2.12V.

희망이 도움이 되셨!

소녀

 

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