도서 레이아웃에 대한 설계

I

Inkwaterman

Guest
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ftopic91126.html
IC에서 레이아웃 기본 사항 : 실용적인 가이드
세인트 크리스토퍼 세인트로, 주디

제작사 : 소에게 갈채 - 힐 전문, 1 판 (2001년 11월 5일)

일 ISBN : 0071386254

도서 정보
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소개
제 1 장 : 기본 회로 이론
제 2 장 : 웨이퍼 가공
제 3 장 : 레이아웃의 CMOS
제 4 장 : 저항
제 5 장 : 커패시턴스
제 6 장 : 바이폴라 트랜지스터
제 7 장 : 다이오드
8 장 : 인덕턴스
용어 해설
제안된 읽기 및 자원
교육 프로그램
색인

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ftopic90857.html
아날로그 레이아웃의 기술
헤이스팅스의 앨런, 앨런 로이 헤이스팅스

출판사 : 프렌 티스 홀

일 ISBN : 0130870617

도서 정보
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목차

(참고 : 각 장은 연습과 결론과 요약.)
1.장치 물리학.

반도체.

세대 및 재조합.외부의 반도체.보급 및 드리프트.

PN의 교차점.

고갈 지역별.수소 농도 다이오드.쇼트키 다이오드.제너 다이오드.Ohmic 연락처.

바이폴라 정션 트랜지스터.

베타.특성 4.

MOS 트랜지스터.

문턱 전압.특성 4.

JFET 트랜지스터.

2.반도체 제조.

실리콘 제조.

크리스탈 성장.웨이퍼 제조.구조의 실리콘 크리스탈.

석판술.

Photoresists.Photomasks과 Reticles.Patterning.

산화막 성장 및 제거.

산화막 성장 및 증착.산화물 제거.및 제거 성장 기타 효과의 산화.실리콘 산화 지방 (LOCOS).

보급 및 이온 주입.

보급.의 확산 효과 기타.이온 주입.

실리콘 증착.

Epitaxy.폴리 실리콘 증착.

금속화.

증착, 알루미늄의 제거.내화물의 배리어 메탈.Silicidation.Interlevel의 산화물, 질화 Interlevel 및 보호 외투.

조립.

마운트 본드.포장.

3.담당자가 처리합니다.

표준 바이폴라.

필수 기능.제조 순서.사용 가능한 장치.공정 연장.

- 폴리 실리콘 게이트의 CMOS.

필수 기능.제조 순서.사용 가능한 장치.공정 연장.

아날로그 BiCMOS.

필수 기능.제조 순서.사용 가능한 장치.공정 연장.

4.실패 메커니즘.

전기 Overstress.

정전기 방전 ()의 ESD.Electromigration.안테나 효과.

오염.

드라이 부식.모바일 이온 오염.

표면 효과.

핫 캐리어 주입.기생 채널 및 퍼뜨려 요금.

기생.

기판 Debiasing.- 소수 캐리어 주입.

5.저항.

저항력과 시트 저항.저항 레이아웃.저항 변화.

공정 변동.온도 변화.Nonlinearity.접촉 저항.

저항 기생.비교 레지스터에 사용할 수 있습니다.

자료 저항.방사기 저항.자료 대타 저항.고속 시트 저항.에피의 대타 저항.금속 저항.폴리 저항.NSD와 레지스터의 PSD.아 - 그럼 레지스터.박막 저항.

값을 조정 저항.

조정 레지스터.트리밍 저항.

6.커패시터.

커패시턴스.콘덴서 변화.

공정 변동.변조 전압 및 온도 변화.

콘덴서 기생.비교 커패시터에 사용할 수 있습니다.

자료 - Emitter의 분기점 커패시터.MOS 커패시터.폴리 폴리 - 커패시터.의 커패시터 스타일 기타.

7.커패시터와 일치 레지스터.

측정 불일치.불일치의 원인.

랜덤 통계 변동.공정 편견.패턴 시프트.평가 엣지 유사에 폴리 실리콘.확산 상호 작용.스트레스 그라디언트 및 패키지 전환.온도 그라디언트와 Thermoelectrics.정전기 상호 작용.

일치하는 장치 규칙입니다.

매칭 저항 규칙입니다.콘덴서와 일치하는 규칙입니다.

8.바이폴라 트랜지스터.

토픽 작업에 바이폴라 트랜지스터.

베타 Rolloff.눈사태 분석.열 내역 '런어웨이 및 2 차.채도 NPN 트랜지스터의.채도 트랜지스터 PNP는 측면의.바이폴라 트랜지스터의 기생.

표준 소형 바이폴라 신호 트랜지스터.

표준 바이폴라 NPN 트랜지스터.표준 기판 PNP는 바이폴라 트랜지스터.표준 바이폴라 트랜지스터 PNP는 측면.고전압 바이폴라 트랜지스터.

대안 소형 신호 바이폴라 트랜지스터.

바이폴라 표준 확장합니다.의 CMOS 프로세스 바이폴라 트랜지스터합니다.- 고급 기술 바이폴라 트랜지스터.

9.바이폴라 트랜지스터 응용 프로그램.

전원 바이폴라 트랜지스터.

파워 트랜지스터 NPN의 실패 메커니즘.NPN 트랜지스터 레이아웃의 파워.채도 탐지 및 제한.

트랜지스터 매칭 바이폴라.

랜덤 유사.방사기의 퇴보.NBL의 그림자.열 그라디언트.스트레스 그라디언트.

트랜지스터와 일치하는 규칙을위한 바이폴라.

NPN 트랜지스터의 매칭 규칙입니다.트랜지스터의 PNP는 측면 규칙에 일치.

10.다이오드.

바이폴라 표준 다이오드입니다.

다이오드 연결 트랜지스터.제너 다이오드.쇼트키 다이오드.

BiCMOS 프로세스 다이오드에 CMOS와.일치하는 다이오드.

일치하는 PN 정션 다이오드.일치하는 제너 다이오드.쇼트키 다이오드를 매칭.

11.MOS 트랜지스터.

토픽 작업에 MOS 트랜지스터.

트랜지스터를 모델링 수법의 살인인.MOS 트랜지스터의 기생.

셀프 트랜지스터를 정렬 폴리 - 게이트의 CMOS.

트랜지스터 코딩 수법의 살인인.아 - 글쎄 및 P - 글쎄 처리합니다.채널이 중지됩니다.쓰레 쉬 홀드는 보형물을 조정합니다.트랜지스터를 스케일링.변형 구조.Backgate 연락처.

12.MOS 트랜지스터 응용 프로그램.

확장 - 전압 트랜지스터.

LDD 트랜지스터 및 주차.확장 - 드레인 트랜지스터.다중 게이트 산화물.

파워 MOS 트랜지스터.

기존의 MOS 파워 트랜지스터.DMOS 트랜지스터.

JFET 트랜지스터.

JFET을 모델링.JFET 레이아웃.

MOS 트랜지스터의 매칭.

기하학적 효과.보급과 엣지 효과.열 및 스트레스 효과.레이아웃 MOS 트랜지스터 Centroid 공통.

트랜지스터와 일치하는 규칙을위한 MOS.

13.특별한 주제.

합병 장치.

결함 장치 인수.성공적인 장치 인수.낮은 위험 합병 장치.중간 위험 합병 장치.장치를 정하고 새로운 합병.

가드 링.

표준 바이폴라 일렉트론 가드 링.표준 바이폴라 홀 가드 링.BiCMOS 설계 및 가드 링에의 CMOS.

단일 레벨 상호.

모의 레이아웃과 스틱 다이어그램.기법 리드를 통과합니다.터널의 종류.

Padring 구축.

학자의 거리와 정렬 마커.Bondpads, Trimpads, 그리고 Testpads.의 ESD 구조.구조 선택의 ESD.

14.다이를 조립.

기획 죽어라.

셀 영역 추정.견적을 내리고 에리어.매출총 이익 여백.

Floorplanning.최상위 상호.

원칙 채널 라우팅.특별 라우팅 기법.Electromigration.스트레스 최소화 효과.

부록에있는 텍스트 사용되는 약어의 : 표.
부록 B : 큐빅 크리스탈의 밀러 지수.
부록 C : 샘플 레이아웃 규칙.
부록 D : 수학 파생어.
부록 E : 소프트웨어 편집기 소스에 대한 레이아웃.
색인.

 
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회로 설계의 CMOS Malobertis의 책에 대한 아날로그.
http://www.edaboard.com/viewtopic.php?t=87078

 
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스카이 워커

 
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Integratd 회로 구성 요소, 또는 인쇄 회로 기판에 대한 책들은?스카이 워커
 
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