계산을하는 내 올바른지

[engr.hayee]

안녕하세요,
난) BC547 (사용하고 릴레이를 트랜지스터와 pic16f877a.b / W 등이 제가 사용 한.
사실은 내가 물어 보는 거지 어떤 종류를 사용하는 절대 제가 왜 릴레이 전에.
제가 계산을 제 확인 싶어합니다.
1 - 내가 릴레이 ohms.so 50도의 저항 데 릴레이의는 5V의 흐름이 전류를해야 0.1A입니다 5v/50 옴 =
2 - 나 1.3mA =) / 3300 5-0.7 기지 현재이 될거예요 (ohm.therefore이 연결된베이스 저항의 3.3k
3 - 일반적으로 BC547 이득 130mA이다 100 그러므로 수집기 = 100 현재이 될거예요 1.3mA *
4 - 릴레이 코일의 한쪽 수집가들과 연결되어는 5V 2 엔드 및 직접.
5 - 방사체 ID는 금지.
모드가 내 계산이 맞는 n 얼마나 포화 내가 아는 건에 내 트랜지스터가.
만약 내가 릴레이를 사용 크거나에 효과가 덜 값을 것인 저항 누른 다음 기본입니다.
감사

 

[svhb]

마찬가지로이 문제를 오래 같이하지 트랜지스터의 값이 saturates,베이스 저항 않습니다.

 

[Guest]

당신의 계산이 정확하고 있습니다.당신은 트랜지스터의 VCE를 측정하여 확인할 수있다 이것을.당신은 온도 상승으로 인해 저항을 줄일 수있는 기본 베타 감소를 허용하는 방법으로 그렇게 2.7K 또는 2.2K.

에서 병렬 다이오드에 안티 연결 릴레이 그래서 차례 동안 릴레이로 전류를 제공하기 위해 경로를 방전.전당

 

[engr.hayee]

고마워요 svhb 및 답변 하시다면의 전당입니다.
좋아, 이것을 이해 나.
하나 더 질문 irretatting 어느 날입니다
가치를 우리가 사용하는 최대보다 큰 이유는 100mA있다면 BC547의 현재 최대 수집기
예
베타면 IB는 1.3mA 100입니다
그때 IC는) 100mA (것입니다 IC에서의 가치는 130mA 수보다 큰 최대. 무슨 이유입니다.

 

[svhb]

는 최대 전류는 saturates 트랜지스터는 저항으로 설정이 될거의 이유를로드, 그건.

그럼에도 현재와 높은 수집기는베이스 전류, 최대 50 /하도록하겠다 (는 5V - Vcesat).

적은 전류를 (staturation의 작업 밖에있다면 그것은 어느 경우)이없는 경우에만 허용할 수 transisor 수 없습니다 생성하는 현재의 그것은, 자신의 그 밖의 바람직한.그래서 당신은 saturates해야 현재 충분히 제공 트랜지스터베이스)에있을 절대적으로 확신 공차 (그 모든 상황의 구성 요소, 온도 ....

 

[Guest]

[No message]

 

[Guest]

사실로 인해 수 있는지, 그 트랜지스터 현재 최소 시간이 계산됩니다 5 채도에 사용해야베이스 전류를 최소한 시에 그 채도에 트랜지스터 감소 HFE합니다.
transitor의 다이오드를 사용하여 출발을 피하 코일에.
로베이스 저항 KOhm은 1 좋다.
EMC의 문제를 피하려면 transitor이 될 교차로의와 병렬로 콘덴서를 넣어 NF 10.

맨디

 

[Ŭ]

EMF 릴레이 억제하기 위해 다시 편견 1n4007 다이오드를 반대 넣어 이상의 코일